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对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。在这两个板之间保留着一个非导体。重庆大量程电压传感器联系方式

谐振电感参数确定后即是实物的设计，同上一小节中高频变压器的设计类似，谐振电感的设计也是首先选择磁芯，然后根据气隙的大小计算绕组匝数，根据流通的电流有效值确定线径，***核算窗口的面积。如果上述验证无误即可进行绕制。为了实现移相全桥变换器的超前桥臂和滞后桥臂上开关管的软开关，必须根据直流变换器的开关管死区时间和开关频率来确定全桥变换器的超前桥臂和滞后桥臂上的谐振电容。前面已经讲过，超前桥臂和滞后桥臂上的开关管的零电压开通条件是不同的，所以必须分开计算。常州内阻测试仪电压传感器厂家现货电阻分压式由于没有谐振问题，性能优于电容式。

在实际的系统中，考虑到变压器有原边漏感的存在，实际选用的谐振电感值比计算的谐振电感值要小，工程调试中可以以计算得到的谐振电感值为基准，将谐振电感设计为可调电感，根据电路的实际情况调动谐振电感值来配合谐振电容完成零开通。本电路的仿真分为两个阶段，第一阶段仿真不纳入全桥变换器变压器的副边，末端的负载用一个等效至原边的电阻代替。此阶段仿真主要是为了实现超前桥臂和滞后桥臂的所有开关管的软开关，并且通过仿真的手段观察开关管实现软开关与电路中哪些参数关系**紧密，以及探讨实现软开关的临界条件。通过观测各个开关管承受电压、流通电流和驱动信号之间的关系，加强对移相全桥电路的理解，为后续的参数设置和电路调试提供理论基础。

储能电容的计算：1）根据工程经验估算：根据工程实践经验，装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦对应储能电容容量1μF，则可选用电容至少1200μF。2）根据能量关系式计算：储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压，其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变，每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端，同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量，我们所选用的储能电容最小值为1200UF。通常，在串联电路中，高阻抗的元件上会产生高电压。

采用双电源供电，为M57962芯片搭建比较简单的外围电路后，正负驱动电压为+15V和-9V，可以使IGBT可靠通断。并且M57962内部集成了短路和过电流保护，内部保护电路监测IGBT的饱和压降来判断是否过流，当出现短路或过流时，M57962将***驱动信号实施对IGBT的关断，同时输出故障信号。如图为驱动芯片M57962的驱动效果，将输入的高电平为5V、低电平为0V的电压信号放大为高电平为15V，低电平为-9V的驱动信号。-9V的低电平确保了IGBT可靠关断。霍尔电压传感器体积小、线性度好、响应时间短，但测试带宽窄，测量精度不高。无锡霍尔电压传感器询问报价

有两种主要类型的电压传感器: 电容式电压传感器和电阻式电压传感器。重庆大量程电压传感器联系方式

DSP控制模块式整个系统的**大脑，程序的运行和数据的计算都是在DSP内部进行的，同时DSP负责部分**芯片的管理，如AD的工作直接受DSP的控制。TMS320F2812作为众多DSP芯片中的一种，是TI公司的一款用于控制和数字计算的可编程芯片，在其内部集成了事件管理器、A/D转换模块、SCI通信接口、SPI外设接口、通信模块、看门狗电路、通用数字I/O口等多种功能模块，研究DSP本身就可以是一门**的学科。类似于单片机，DSP的工作功能是基于**小系统的扩展，在使用DSP时并非一定用到上述所有模块。在设计好DSP的**小系统（包括电源供电、晶振、复位电路、JTAG下载口电路等）后，根据各个模块和引脚的具体功能分配片内资源和连接**芯片。重庆大量程电压传感器联系方式