关键应用领域
半导体制造:
◦ 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。
印刷电路板(PCB):
◦ 保护电路图形或作为蚀刻抗蚀层,制作线路和焊盘。
显示面板(LCD/OLED):
◦ 用于制备彩色滤光片、电极图案等。
微机电系统(MEMS):
◦ 加工微结构(如传感器、执行器)。
工作原理(以正性胶为例)
1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。
3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。
4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
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吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000:国产技术突破耐高温极限
自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温,为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂,在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺,其高粘接强度与耐强酸强碱特性,适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证,应用于国产 EUV 光刻机前道工艺,帮助客户实现纳米结构加工自主化。
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差异化竞争策略
在高级市场(如ArF浸没式光刻胶),吉田半导体采取跟随式创新,通过优化现有配方(如提高酸扩散抑制效率)逐步缩小与国际巨头的差距;在中低端市场(如PCB光刻胶),则凭借性价比优势(价格较进口产品低20%-30%)快速抢占份额,2023年PCB光刻胶市占率突破10%。
前沿技术储备
公司设立纳米材料研发中心,重点攻关分子玻璃光刻胶和金属有机框架(MOF)光刻胶,目标在5年内实现EUV光刻胶的实验室级突破。此外,其纳米压印光刻胶已应用于3D NAND存储芯片的孔阵列加工,分辨率达10nm,为国产存储厂商提供了替代方案。
聚焦先进封装需求,吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域,吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术(180℃),焊接空洞率 < 5%;针筒锡膏适用于 01005 超微型元件,印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队,公司为客户提供工艺优化建议,帮助降低生产成本,增强市场竞争力。东莞光刻胶厂家哪家好?
市场拓展
◦ 短期目标:2025年前实现LCD光刻胶国内市占率10%,半导体负性胶进入中芯国际、华虹供应链,纳米压印胶完成台积电验证。
◦ 长期愿景:成为全球的半导体材料方案提供商,2030年芯片光刻胶营收占比超40%,布局EUV光刻胶和第三代半导体材料。
. 政策与产业链协同
◦ 受益于广东省“强芯工程”和东莞市10亿元半导体材料基金,获设备采购补贴(30%)和税收减免,加速KrF/ArF光刻胶研发。
◦ 与松山湖材料实验室、华为终端建立联合研发中心,共同攻关光刻胶关键技术,缩短客户验证周期(目前平均12-18个月)。
. 挑战与应对
◦ 技术壁垒:ArF/EUV光刻胶仍依赖进口,计划2026年建成中试线,突破分辨率和灵敏度瓶颈(目标曝光剂量<10mJ/cm²)。
◦ 供应链风险:部分原材料(如树脂)进口占比超60%,正推进“国产替代计划”,与鼎龙股份、久日新材建立战略合作为原材料供应。
半导体芯片制造,用于精细电路图案光刻,决定芯片性能与集成度。厦门阻焊油墨光刻胶供应商
感光胶的工艺和应用。厦门阻焊光刻胶厂家
吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒,国产替代再迎新进展
自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证,吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶,分辨率达 90nm,适用于 14nm 及以上制程,已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方,突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%,蚀刻选择比达 4:1,性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程,为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。
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