IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA

Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵，按材料可分为硅基与 SiC 基；按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型；电压覆盖 100V-10kV，电流 1A-1000A，封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务：为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管，为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块，为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时，提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记，专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持，帮助客户快速落地方案。Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA

三相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对工业大功率场景开发的**产品，内部由 6 颗整流二极管组成三相桥式整流电路，可将三相交流电转换为平滑的直流电。其采用多芯片并联技术与均流优化设计，确保大电流下各二极管芯片电流分布均匀，避免局部过热，电流等级可达 3000A，反向耐压*高至 6500V。模块采用先进的外延工艺芯片，导通损耗较传统产品降低 20%，且具备出色的浪涌电流耐受能力（可达额定电流的 10 倍以上）。在工业变频器、大型电机驱动电源、大功率充电机等场景中，三相整流桥模块作为前端整流**，为系统提供高稳定度的直流母线电压，保障大功率设备高效运行。IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA工业电源设备里，Ixys艾赛斯场效应管其精确的电流控制能力，助力电源实现高稳定性输出。

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯MOS管兼具高击穿电压与大电流容量，是大功率电子设备的重要器件之选。

Ixys 艾赛斯二极管模块普遍采用直接铜键合（DCB）载板封装技术，通过陶瓷绝缘层将铜箔与芯片紧密键合，形成高效的散热路径。DCB 载板不仅绝缘性能优异，导热系数可达 200W/(m・K) 以上，远超传统 FR4 基板，能快速将芯片产生的热量传导至散热片。模块封装形式涵盖紧凑型 SOT227B、标准 MODULE 封装及定制化大功率封装，部分型号集成温度传感器，便于实时监测模块温度。此外，封装边缘采用圆角设计与阻燃材料，通过 UL 安全认证，在提升散热效率的同时，保障了电气安全与机械可靠性。Ixys二极管模块含FRD、肖特基等类型，适配多场景整流续流需求。IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA

Ixys艾赛斯场效应管通过AEC-Q101汽车级认证，满足车载环境的严苛可靠性与温度要求。IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA

Ixys 艾赛斯整流桥模块拥有完善的产品矩阵，按相数可分为单相、三相整流桥；按性能可分为普通整流桥、快恢复整流桥、肖特基整流桥；按电压可覆盖 50V-6500V，电流范围 10A-3000A，封装形式包括 DIP、SMD、MODULE、平板型等多种规格。针对特殊应用场景，Ixys 提供定制化服务，可根据客户需求调整模块的电气参数（如导通压降、反向耐压）、封装结构（如引脚布局、散热方式）与集成功能（如内置温度传感器、均流电阻），例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的整流桥模块，为航空航天设备定制轻量化、耐高温的整流桥模块。同时，公司提供详尽的技术手册、应用笔记与仿真模型，配合专业技术团队提供全流程支持，帮助客户快速落地应用方案。IXYS艾赛斯MCMA85P1800TA