IXYS艾赛斯VBO21-12NO7

超级结 MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾赛斯在 MOS 管技术上的重大突破，通过 P 型与 N 型交替的外延层结构，突破了传统 MOS 管 “导通电阻 - 击穿电压” 的制约关系，实现高耐压与低导通损耗的双重优势。其电压等级覆盖 600V-1.2kV，电流至 200A，反向恢复电荷*为传统 MOS 管的 1/3，开关损耗降低 50% 以上。采用先进的平面栅设计与离子注入工艺，确保器件在高频工况下稳定运行，dv/dt 耐受能力可达 5000V/μs。在光伏逆变器、高频开关电源、不间断电源（UPS）等高频高效场景中，SJ-MOS 管成为提升系统能效的**器件。IXYS艾赛斯模块整流桥模块集成桥式结构，简化AC-DC转换电路设计。IXYS艾赛斯VBO21-12NO7

不间断电源（UPS）中，Ixys 艾赛斯二极管模块是保障电力连续性的关键器件。在市电正常时，整流二极管模块将交流电转换为直流电，为蓄电池充电并为逆变器供电，其高可靠性确保充电过程稳定高效；当市电中断时，二极管模块快速切换至备用回路，阻断蓄电池向整流侧反向放电，同时配合逆变器将蓄电池电能转换为交流电供负载使用。模块的低正向压降降低了回路损耗，高浪涌耐受能力能应对负载突变时的电流冲击，且封装紧凑，适配 UPS 小型化设计需求。在数据中心、通信基站等关键场景，该模块为 UPS 系统提供可靠的电力转换与切换支撑，避免断电导致的数据丢失。IXYS艾赛斯VBO21-12NO7Ixys艾赛斯场效应管采用先进沟槽工艺，导通电阻极低，能明显降低电路功率损耗。

光伏逆变器中，Ixys 艾赛斯二极管模块主要用于续流回路与防反接保护。在逆变器的功率变换环节，快恢复或肖特基二极管模块作为续流器件，在功率开关管关断时为滤波电感的储能提供释放路径，其低损耗特性直接提升逆变器的转换效率，部分型号可使逆变器效率突破 99%。防反接二极管模块则串联在光伏阵列与逆变器之间，当光伏组件正负极接反时，模块截止阻断电流，避免逆变器内部电路烧毁。模块具备高可靠性与宽温度适应范围，能在 - 40℃至 175℃的环境中稳定工作，适配不同气候条件下的光伏电站需求。

Ixys 艾赛斯整流桥模块拥有完善的产品矩阵，按相数可分为单相、三相整流桥；按性能可分为普通整流桥、快恢复整流桥、肖特基整流桥；按电压可覆盖 50V-6500V，电流范围 10A-3000A，封装形式包括 DIP、SMD、MODULE、平板型等多种规格。针对特殊应用场景，Ixys 提供定制化服务，可根据客户需求调整模块的电气参数（如导通压降、反向耐压）、封装结构（如引脚布局、散热方式）与集成功能（如内置温度传感器、均流电阻），例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的整流桥模块，为航空航天设备定制轻量化、耐高温的整流桥模块。同时，公司提供详尽的技术手册、应用笔记与仿真模型，配合专业技术团队提供全流程支持，帮助客户快速落地应用方案。Ixys艾赛斯可控硅模块采用先进的平面钝化芯片技术，提升了长期稳定性，减少故障发生概率。

尽管 Ixys 艾赛斯模块品类丰富，但均共享两大**技术支撑：先进芯片工艺与高精度封装设计。芯片层面，普遍采用薄晶圆外延技术、沟槽栅 / 平面栅优化结构，以及碳化硅（SiC）宽禁带材料，实现低导通损耗、高耐压与快开关特性的统一；封装层面，主流采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合多芯片并联均流设计与压力接触工艺，确保热量快速导出与电流均匀分布。此外，模块普遍集成温度传感器与过压保护结构，部分**型号融合智能驱动电路，形成 “芯片 - 封装 - 保护” 三位一体的技术体系。Ixys艾赛斯可控硅模块的隔离电压高达数千伏，能有效隔离电路中的高低压部分，保障操作人员安全。IXYS艾赛斯VBO21-12NO7

Ixys艾赛斯整流桥在开关电源中，其快速整流特性助力提升电源转换效率，减少能量损耗。IXYS艾赛斯VBO21-12NO7

在工业自动化领域，Ixys 艾赛斯模块是实现高效生产的 “动力中枢”。工业变频器中，IGBT 模块通过高频开关控制电机转速，适配风机、水泵等负载的调速需求，节能率可达 30%；焊接设备采用快恢复二极管 + MOS 管复合模块，实现焊接电流的精确调节，减少飞溅与气孔；数控机床的伺服系统使用低噪声 IGBT 模块，保障主轴与进给轴的高精度运动。此外，工业电源设备中广泛应用整流桥模块与 MOS 管模块，为 PLC、传感器等控制元件提供稳定电力，形成 “驱动 - 控制 - 电源” 全环节模块支撑体系。IXYS艾赛斯VBO21-12NO7