江苏封装工厂

为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。高频芯片对封装要求高，中清航科针对性方案，降低信号损耗提升效率。江苏封装工厂

中清航科WLCSP测试一体化方案缩短生产周期。集成探针卡与临时键合层，实现300mm晶圆单次测试成本降低40%。在PMIC量产中，测试覆盖率达99.2%。面向航天应用，中清航科抗辐照封装通过MIL-STD-750认证。掺铪二氧化硅钝化层使总剂量耐受＞300krad，单粒子翻转率＜1E-10error/bit-day。已服务低轨卫星星座项目。中清航科MEMS真空封装良率突破98%。采用多孔硅密封技术，腔体真空度维持＜0.1Pa十年以上。陀螺仪零偏稳定性达0.5°/h，满足导航级应用。江苏sot-23-5封装存储芯片封装求快求稳，中清航科接口优化，提升数据读写速度与稳定性。

针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。

常见芯片封装类型-PQFP：PQFP是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在100个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的PQFP封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。中清航科专注芯片封装，通过材料革新让微型化与高效能兼得。

芯片封装材料的选择：芯片封装材料的选择直接影响封装性能与成本。常见的封装材料有塑料、陶瓷、金属等。塑料封装成本低、工艺简单，适用于多数民用电子产品；陶瓷封装散热性好、可靠性高，常用于航天等领域；金属封装则在电磁屏蔽方面表现优异。中清航科在材料选择上拥有丰富经验，会根据客户产品的应用场景、性能需求及成本预算，为其推荐合适的封装材料，并严格把控材料质量，从源头确保封装产品的可靠性。例如，针对航天领域客户，中清航科会优先选用高性能陶瓷材料，保障芯片在极端环境下稳定工作。芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。江苏sot-23-5封装

中清航科芯片封装方案，适配物联网设备，兼顾低功耗与小型化。江苏封装工厂

随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。江苏封装工厂