先进陶瓷行业技术峰会

将氧氯化锆、硝酸钇、硝酸铝按比例配置成溶液，氨水为沉淀剂，采用共沉淀法制备出钇稳定氧化锆粉体，加入一定比例的PVA，水为介质，湿法球磨，烘干、造粒，得到可成型的钇稳定氧化锆粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa压力下干压，然后在不同压力下冷等静压成型，将制得的生坯在不同温度下烧结，并保温不同时间，研究等静压压力、烧结温度、保温时间对陶瓷密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性的影响。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动孕育无限发展商机IACE CHINA 2025将与第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！“中國‌國際先進陶瓷展”多方位展示企业智造实力，搭建行业共享共赢的商贸平台，2025年3月10-12日上海见！先进陶瓷行业技术峰会

PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10-12日中国上海市先进陶瓷技术展览会“中國‌國際先進陶瓷展览会”2025年3月10日上海世博展览馆。云集行业杰出企业的商贸平台，共襄行业盛会！

碳化硅半导体属于高度技术密集型行业，具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒，高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响，目前各路资本争相投资，碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时，全球碳化硅半导体行业市场集中度较高，市场份额主要被美国、欧洲、日本等國家和地区的企业占据，国内企业未来将面临國際先進企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化，会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！

刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！诚邀您参加中國‌國際先進陶瓷展览会，展示前沿技术、前沿产品，2025年3月10-12日上海世博展览馆见！

碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为满足不同芯片功能需求，需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，以及低电阻率（电阻率区间为15~30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件，通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片；导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！先進制造业新发展格局“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！华东国际先进陶瓷技术专题论坛

聚焦前沿技术，展示品质产品，2025年3月10日，来“中國‌國際先進陶瓷展览会”，与行业精英面对面交流！先进陶瓷行业技术峰会

半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！先进陶瓷行业技术峰会