三极管放大电路的原理:信号放大输入信号Ui经C1耦合到VT的基极,使VT的基极电流Ib随Ui变化而变化,致使VT的发射极电流Ie随之变化,并且变化量为(1+β)Ib。Ie在R2两端产生随之变化的压降U...
三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定...
场效应管的测试判定:栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极...
三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压 大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号...
三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是几种器件。可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形...
二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置,对它的工作原理分析思路主要说明下列几点:(1)VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连,而它的负极通过R2与地线相连,这样VD1在直流工作...
肖特基二极管:肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降0.4V左右...
三极管的基本结构:基本放大电路是放大电路中基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。...
三极管锗管的穿透电流比较大,一般由几十微安到几百微安,硅管的穿透电流就比较小,一般只有零点几微安到几微安。 I ceo 虽然不大,却与温度有着密切的关系,它们遵循着所谓的“加倍规则”,这就是温度每升高...
二极管的分类:发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件,简称LED(Light Emitting Diode)。和普通二极管相似,发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装...
三极管的基本结构:基本放大电路是放大电路中基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。...
二极管的伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线 。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0....
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。它具有单向导电性能, 即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。 因此,二极管的导通和截止,则相...
三极管单纯从“放大”的角度来看,我们希望 β 值越大越好。可是,三极管接成共发射极放大电路时,从管子的集电极 c 到发射极 e 总会产生一有害的漏电流,称为穿透电流 I ceo ,它的大小与 β 值近...
三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定...
二极管共有两种工作状态:截止和导通。二极管导通与截止有一定的工作条件。二极管导通的条件有两个:正向偏置电压;正向偏置电压大到一定程度,对于硅二极管而言为0.6V。只要正向电压达到一定的值,二极管便导通...
三极管有90×&TImes;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是...
双极型三极管的电流传输关系:发射结加正偏时,从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为IEP。这是因为发射区...
三极管是一种控制元件,三极管的作用非常的大,可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化,电子管是他的前身,但是电子管体积大耗电量巨大,现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小,以共发射极...
二极管的发现和发展:1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。20世纪初,由于无线电接收...
发射结加正偏时,从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓...
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电...
场效应管转移特性曲线:栅极电压对漏极电流的控制称为转移特性,反映两者关系的曲线称为转移特性曲线。N沟结型场效应管的转移特性曲线如图。当栅极电压取出不同的电压时,漏极电流随之变化。当栅极电压=0时,ID...
三极管偏置电路分析电路中,三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压,这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路,为三极管VT1基极提供直流工作电压,基极电压的大小决定...
晶体三极管的特性曲线:晶体三极管的输入特性曲线。当UCE=0时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。因此,输入特性曲线与PN结的伏安特性类似,呈指数关系。当UCE增大时,曲线将右移。对于小...
双极管共发射极接法的电压-电流关系输入特性曲线简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了...
二极管真空管:1873年,弗雷德里克·格思里(Frederick Guthrie)发现了热离子二极管的基本操作原理。他发现了当白热化的接地金属接近带正电的验电器时,验电器的电会被引走;然而带负电的验电...
三极管的工作原理:线性区NMOS如果栅上加正电压,就会在其下感应出相反极性的负电荷,从而产生N型沟道,使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响,则栅压高一点,产生的沟道就宽一点,导通能力就大一点,这就是线性...
二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电...
场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用为普遍的是M...