MOSFETs,场效应管|开关二极管,三极管 |三端稳压管 LDO|集成电路IC 整流器
Mosfet 的静态特性参数,直观反映了其工作性能。阈值电压是 Mosfet 开启的关键参数,当栅极电压达到该值时,开始形成导电沟...
场效应管(Mosfet)的导通时间和关断时间是衡量其开关性能的重要参数。导通时间是指从栅极施加驱动信号开始,到漏极电流达到稳定导通...
场效应管(Mosfet)和双极型晶体管(BJT)是两种常见的半导体器件,它们在工作原理、性能特点和应用场景上存在着明显的差异。从工...
Mosfet 的动态特性,描述了其在开关过程中的性能表现。在开启过程中,栅极电容需充电,当栅极电压达到阈值电压时,开始形成导电沟道...
场效应管(Mosfet)的驱动电路是保证其正常工作的关键部分。由于 Mosfet 是电压控制型器件,驱动电路需要提供合适的栅极电压...
场效应管(Mosfet)在开关过程中会产生开关损耗,这是影响其效率和可靠性的重要因素。开关损耗主要包括开通损耗和关断损耗。开通时,...
场效应管(Mosfet)的阈值电压(Vth)可能会发生漂移,这会影响其性能和稳定性。阈值电压漂移的原因主要包括长期工作过程中的热应...
场效应管(Mosfet)的栅极驱动保护电路对于确保其正常工作和可靠性至关重要。由于 Mosfet 的栅极与源极之间的氧化层很薄,容...
深圳市盟科电子科技有限公司座落于深圳市宝安区,成立于2010年,占地面积10000余平方米,是一家专业的半导体研发制造商。我司专注于半导体元器件的研发、生产、加工和销售。作为国家高新技术企业,凭借多年的经验和发展,现已达年产25亿只生产规模。 我司主营场效应管,二极管,三极管,稳压电路,晶闸管,可控硅等半导体元器件,超过8种封装如:SOT-23,SOT-23-3L,SOT-23-5L,SOT-23...
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