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企业商机 - 上海九展自动化技术有限公司
  • PA6008-PCC10A加热板总经销 发布时间:2022.12.12

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素:本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,结构简单,操作方便,修磨效果好,效率高,解决了以上技术问题。为了实现上述技...

  • 浙江PA6025-PCC200V加热板 发布时间:2022.12.11

    晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工...

  • 技术实现元素:为了化解以下三个技术疑问:一、传统加热板加热后总体变形,引致局部短路;二、为了确保加热安定传统加热板,轴对称的加热片电极在同一侧,易于时有发生短路隐患;三、传统加热板留置区分配不...

  • PA6008-PCC10A加热板总经销 发布时间:2022.12.09

    加热板搅拌器加热搅拌器加热板&搅拌器附件出色的性能与智能技术令人印象深刻的高性能、高安全性和操作简便性,使您能够轻松找到符合您实验室要求的加热设备。我们的加热板、搅拌器、加热搅拌器以及相关附件可以完全...

  • PA3005-PCC10A加热板价格 发布时间:2022.12.08

    **名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处...

  • 浙江PA8010-CC-PCC20A加热板 发布时间:2022.12.07

    膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较厚SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基S...

  • 苏州PA9005-PCC10A加热板 发布时间:2022.12.06

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素:本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,结构简单,操作方便,修磨效果好,效率高,解决了以上技术问题。为了实现上述技...

  • 实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一...

  • PA9005-PCC10A加热板说明书 发布时间:2022.12.04

    晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工...

  • MSA FACTORYPH132加热板价格多少 发布时间:2022.12.03

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素:本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,结构简单,操作方便,修磨效果好,效率高,解决了以上技术问题。为了实现上述技...

  • PA6025-PCC200V加热板价格 发布时间:2022.12.02

    技术实现元素:为了化解以下三个技术疑问:一、传统加热板加热后总体变形,引致局部短路;二、为了确保加热安定传统加热板,轴对称的加热片电极在同一侧,易于时有发生短路隐患;三、传统加热板留置区分配不...

  • 本发明具如下有益于效用:通过将轴对称改成中心对称、将ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的构造,以及合理配置留置区和电压位置的安装,化解了传统加热板的构造的缺点,提高了采用的稳定性,增加了...

  • 浙江PA6015-PCC20A加热板 发布时间:2022.12.01

    这也使得控制温度在目标温度士20°C范围内波动,波动范围较大。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供一种能够在高频加热时将工件温度控制在目标温度士5°C范围内的温度控制装置及方法。为达到上述目...

  • 天津PA8010-CC-PCC20A加热板 发布时间:2022.12.01

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机,其特征在于,还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块...

  • 广州PA6015-PCC20A加热板 发布时间:2022.11.30

    所述线圈截面为正方形,线圈上端距离顶部端面不低于150mm;所述线圈缠绕密度从上端至底部依次减少;所述中心加热筒上端开口连接汽水引出管,下端开口连接汽水引进管,所述外筒体一侧与辅助加热水套汽水...

  • 设计不同的热流密度;防止工质进入过渡沸腾区,从而导致传热恶化,壁温过热。(3)采用合理的绝缘固定方式,保证每匝线圈之间的节距,以及线圈到加热筒体内外壁之间的距离,保证各区段的电感量在设计范围之...

  • MSA FACTORYPH132加热板一级代理 发布时间:2022.11.30

    晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙,防止晶圆与加热盘1直接接触从而损坏晶圆,。加热盘1上还设有限位柱4,限位柱4的数量为6个,晶圆放置在6个限位柱之间,这方每次加热晶圆时,晶圆都...

  • PA8005-PCC10A加热板总经销 发布时间:2022.11.29

    所述的调节支撑圆柱3-4与研磨盘主体3-1之间、调节支撑圆柱3-4与圆环1-2之间均设置为螺纹连接;所述的支撑圆盘本体1-1的材质采用铝合金;所述的圆环1-2的材质采用ptfe;所述的研磨块3...

  • 电极和布线用的铝合金(Al-Si,Al-Si-Cu)等都是利用溅射法形成的。**常用的溅射法在平行平板电极间接上高频()电源,使氩气(压力为1Pa)离子化,在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧...

  • 以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置,产生电特性。去除氮化硅层用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5)离子,形成N型阱,并使原先的SiO2膜厚度增加,达到阻止下一步中n型杂质注入P...

  • 广州PA2020-FC-PCC20A加热板 发布时间:2022.11.28

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素:本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,结构简单,操作方便,修磨效果好,效率高,解决了以上技术问题。为了实现上述技...

  • 硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化,完成硅片分离,但高温会使切缝周围产生热应力,导致硅片边缘崩裂,且只适合薄晶圆...

  • PH132加热板说明书 发布时间:2022.11.28

    当***分区和第二分区之间的温度值差值超过℃时,控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率,或者控制模块提高温度降低的分区的功率继电器的输出功率。本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶...

  • PA2025-PCC10A加热板价格 发布时间:2022.11.27

    第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域设置于第二加热区域和第三加热区域外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区...

  • ***温度检测模块和第二检测模块均采用型号为pt1000的铂热电阻;***加热模块包括***功率继电器和***加热丝;第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝;在本实施中,晶圆加热处于温度稳...

  • 是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路,然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后,表面会形成一层损伤层,且翘曲度高,容易破片。为了解决这些问题,需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀,去除损...

  • PA4015加热板总经销 发布时间:2022.11.26

    碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅,这对微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此对冶金级硅进行进一...

  • MSA FACTORYPA2025-PCC10A加热板 发布时间:2022.11.26

    晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙,防止晶圆与加热盘1直接接触从而损坏晶圆,。加热盘1上还设有限位柱4,限位柱4的数量为6个,晶圆放置在6个限位柱之间,这方每次加热晶圆时,晶圆都...

  • 福建PA4015加热板 发布时间:2022.11.26

    为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。图1是本发明实施例的结构原理示意图;图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图;图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。...

  • 北京PA8015-CC-PCC200V加热板 发布时间:2022.11.25

    晶圆加热盘一般是用于承载、加热晶圆的圆盘,所以也有人称它为晶圆加热器。因为使用环境特殊,制作半导体晶圆托盘的材料需要具备许多条件:耐高温能力强、耐磨性能高……,因为是用于高温环境下,导热系...

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