Infineon英飞凌DD175N34K 发布时间：2025.12.10

模块在工业自动化中的关键作用 在工业自动化进程中，英飞凌模块是实现精确控制和高效运行的关键。在通用驱动器中，它能够精确控制工业应用中的电机速度，不仅提高了节能效果，还**提升了运行精度，使得工业生...

安徽Infineon英飞凌规格是多少 发布时间：2025.12.07

英飞凌的传感器产品广泛应用于多个领域。雷达传感器在自动驾驶辅助系统（ADAS）中起着关键作用，77GHz 雷达传感器凭借高分辨率和远距离探测能力，能精确识别前方车辆、行人及障碍物，为自动紧急刹车功能提...

Bussmann巴斯曼轨道交通熔芯 发布时间：2025.12.04

选择Bussmann巴斯曼，是一项极具远见的投资。其初始采购成本或许高于普通产品，但其带来的综合经济效益巨大而深远：极高的可靠性极大降低了意外停机带来的生产损失；精确的保护特性延长了被保护的**设备（...

广西平面型MOS管 发布时间：2025.12.01

MOS 管的建模与仿真分析方法 MOS 管的精确建模与仿真对电路设计优化至关重要，能有效缩短研发周期并降低成本。常用的模型包括物理模型、等效电路模型和行为模型。物理模型基于半导体物理原理，描述载流...

IXYS艾赛斯IXFN64N50PD2 发布时间：2025.11.28

Ixys 艾赛斯打破 “标准化器件” 思维，构建了从需求定义到落地运维的全流程定制服务体系。定制范围涵盖三方面：电气参数定制，如根据客户需求调整模块耐压、电流与开关速度；结构设计定制，包括封装尺寸、引...

江苏Bussmann巴斯曼价格表 发布时间：2025.11.27

在工业领域，Bussmann巴斯曼熔断器应用***。在工厂自动化生产线中，众多电气设备协同工作，若某一环节出现电流异常，可能导致整个生产线停滞。巴斯曼熔断器安装在关键电路节点，能及时检测到过电流情况并...

IXYS艾赛斯MCD72-18iO1B 发布时间：2025.11.25

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（T...

SIBA西霸173100.3.15 发布时间：2025.11.24

与其他品牌相比，SIBA 西霸熔断器具有诸多明显优势。在产品性能上，SIBA 高压熔断器的高限流和高分断能力表现突出。例如，在面对短路故障时，能更快地限制电流上升并切断电路，相比一些品牌，可有效减少故...

南昌Bussmann巴斯曼多少钱 发布时间：2025.11.22

Bussmann之名，在电气保护领域犹如一座不朽的丰碑。自遥远的1914年于美国密苏里州圣路易斯市诞生以来，其血脉中便奔涌着创新的基因。创始人Hugo Bussmann绝不会想到，当年那颗致力于守护电...

Ferraz罗兰F330032 发布时间：2025.11.21

MERSEN 美尔森对熔断器产品实施严格的质量管控，从原材料采购到成品出厂，每个环节都精益求精。原材料采购时，对熔体材料的纯度、外壳材质的性能进行严格检测，确保符合国际高标准；生产过程中，采用自动化生...

Bussmann巴斯曼170M6164 发布时间：2025.11.19

在绿色制造成为全球共识的***，Bussmann积极践行其企业责任。这体现在产品端：致力于提升能效，减少自身产品在系统中的能耗损失；开发更长寿、更可靠的产品，从源头上减少废弃；并遵循RoHS、REAC...

苏州Infineon英飞凌电子元器件 发布时间：2025.11.18

符合汽车标准的模块助力汽车产业变革 随着汽车产业向电动化、智能化方向飞速发展，英飞凌推出了符合汽车标准的 IGBT 模块解决方案，为混合动力和电动汽车的设计提供了强有力的支持。在电动汽车中，...

小信号MOS管销售 发布时间：2025.11.17

MOSFET 的失效模式与可靠性分析MOSFET 在实际应用中可能因多种因素失效，了解失效模式与可靠性影响因素对电路设计至关重要。常见失效模式包括栅极氧化层击穿、热失控和雪崩击穿。栅极氧化层薄，过电压...

Ferraz罗兰PC31UD69V700EF 发布时间：2025.11.17

Ferraz 罗兰熔断器在安装和维护方面设计得十分便捷。其熔断器结构紧凑，安装尺寸符合行业通用标准，便于在各类电气设备和控制柜中安装。Ferraz 罗兰熔断器部分型号采用模块化设计，更换熔断器时无需复...

浙江Infineon英飞凌现货 发布时间：2025.11.16

英飞凌的智能功率开关专为特定应用场景设计，在汽车电子系统中，其汽车传统动力总成 IC 能精确控制汽车传统动力系统的运行，优化发动机的燃油喷射和点火时机，提高燃油利用率，降低尾气排放。在工业领域，智能功...

SEMIKRON赛米控SKM600GA12T4 发布时间：2025.11.16

赛米控模块突出高功率密度特点，在有限空间内实现高功率输出。兆瓦级水冷 SKiiP 模块功率密度达 80W/cm³，相比传统模块体积缩小 40%，2MW 风电变流器采用该模块后，柜体体积从 3m³ 降至...

库柏西熔RT16-3 500V 630A 发布时间：2025.11.15

为适配光伏阵列的直流供电特性（通常 DC 1000V-1500V），库柏西熔推出光伏**熔断器，采用防反接结构设计，可有效防止因接线错误导致的设备损坏。产品熔体采用高纯度银材质，具备优异的直流灭弧性能...

中国台湾MOS管哪家强 发布时间：2025.11.15

按栅极控制方式分类：增强型与耗尽型 MOS 管 依据零栅压时的导通状态，MOS 管可分为增强型和耗尽型。增强型 MOS 管在栅极电压为零时无导电沟道，需施加超过阈值电压的栅压才能导通，如同 “常开...

贵阳Bussmann巴斯曼原装 发布时间：2025.11.14

Bussmann熔断器的***性能，根植于对材料科学的百年钻研。熔体并非普通合金，而是经过精密计算的银或铜基复合材料，其形状、厚度与“冶金效应”（M效应）点的设计，直接决定了时间-电流特性。灭弧介质则...

SIBA西霸2073931.800 发布时间：2025.11.14

针对地下采矿环境的特殊性，SIBA西霸专门设计了矿用熔断器。地下采矿环境复杂恶劣，存在潮湿、粉尘、振动以及易燃易爆气体等危险因素，对电气设备的安全性和可靠性提出了极高要求。SIBA 矿用熔断器在外壳设...

安徽Bussmann巴斯曼一般多少钱 发布时间：2025.11.13

Bussmann低压工业熔断器系列堪称电路保护领域的**产品，其技术含量和可靠性在业内享有盛誉。该系列涵盖额定电压至1000V AC/1500V DC的应用场景，包含三大**产品线：Low-Peak®...

Infineon整流器一般多少钱 发布时间：2025.11.13

固定输出整流器 笔记本电脑充电器通常采用固定输出整流器，将 220V 交流电转换为适合笔记本电脑电池充电和工作的固定直流电压，如 19V。这种固定输出电压的整流器设计简单、成本低，能够满足笔记本电...

北京Infineon英飞凌质量 发布时间：2025.11.12

英飞凌晶闸管模块在工业加热炉温度控制中的优势 冶金行业的轧钢加热炉对温度控制精度要求极高，英飞凌晶闸管模块凭借相位控制技术，为炉温精确调控提供了理想解决方案。以1200℃高温加热炉为例，传统继电器...

Infineon英飞凌DD1200S33K2C 发布时间：2025.11.12

英飞凌二极管模块在电机驱动系统中的应用优势 电机驱动系统是工业自动化和现代交通领域的**组成部分，英飞凌二极管模块在其中发挥着重要的保护和续流作用。在直流电机驱动电路中，当电机进行制动或转速发生变...

西门康SKR71/14 发布时间：2025.11.11

西门康 IGBT 模块的**优势源于其独特的半导体结构，它由 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）和 GTR（电力晶体管）复合而成，兼具两种器件的优点。模块主要包含栅极、集电极和发...

Bussmann巴斯曼C5268-3 发布时间：2025.11.11

Bussmann 系列高速熔断器具备快速响应和高效散热的***特点。在电力电子设备中，二极管、可控硅整流器等元件对过电流极为敏感，Bussmann 高速熔断器能够在纳秒级别的时间内对过电流做出反应，迅...

西门康SKD60/16 发布时间：2025.11.10

在智能电网建设中，西门康 IGBT 模块在柔性直流输电、无功补偿、配电自动化等关键环节发挥着重要作用，为电网的安全稳定运行提供技术支撑。在柔性直流输电系统中，西门康 IGBT 模块组成的换流阀能实现交...

SIBA西霸189140.4 发布时间：2025.11.10

SIBA 西霸低压熔断器具备出色的环境适应能力，应对复杂低压场景。温度适应性方面，其工作温度范围覆盖 - 40℃至 80℃，低温环境下熔体不会因脆化影响熔断特性，高温环境中陶瓷外壳与密封材料能保持稳定...

Ferraz罗兰NH000GG40V40 发布时间：2025.11.09

针对中高压电气系统，Ferraz 罗兰推出 10kV-35kV 等级的**熔断器，聚焦电力变压器、电容器组等设备保护。以 HV 系列为例，HV10-20 型号额定电压 10kV，额定电流 20A，分断...

中国香港MOS管哪家专业 发布时间：2025.11.09

增强型与耗尽型MOS管的区别MOS管分为增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）。增强型MOS在栅极电压为零时无导电沟道，需施加正向电压（N沟道）或负向电压（...