科研用微光显微镜按需定制

在微光显微镜（EMMI）检测中，部分缺陷会以亮点形式呈现，

例如：漏电结（JunctionLeakage）接触毛刺（ContactSpiking）热电子效应（HotElectrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（GateOxideDefects/Leakage，F-N电流）多晶硅晶须（Poly-SiliconFilaments）衬底损伤（SubstrateDamage）物理损伤（MechanicalDamage）等。

同时，在某些情况下，样品本身的正常工作也可能产生亮点，例如：饱和/工作中的双极型晶体管（Saturated/ActiveBipolarTransistors）饱和的MOS或动态CMOS（SaturatedMOS/DynamicCMOS）正向偏置二极管（ForwardBiasedDiodes）反向偏置二极管击穿（Reverse-BiasedDiodesBreakdown）等。

因此，观察到亮点时，需要结合电气测试与结构分析，区分其是缺陷发光还是正常工作发光。此外，部分缺陷不会产生亮点，如：欧姆接触金属互联短路表面反型层硅导电通路等。

若亮点被金属层或其他结构遮蔽（如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal），可尝试采用背面（Backside）成像模式。但此模式只能探测近红外波段的发光，并需要对样品进行减薄及抛光处理。 电路故障排查因此更高效。科研用微光显微镜按需定制

展望未来，随着半导体技术持续创新，EMMI 微光显微镜有望迎来更广阔的应用前景。在量子计算芯片领域，其对微弱量子信号的检测需求与 EMMI 微光显微镜的光信号探测特性存在潜在结合点，或许未来 EMMI 能够助力量子芯片的研发与质量检测，推动量子计算技术走向成熟。在物联网蓬勃发展的背景下，海量微小、低功耗半导体器件投入使用，EMMI 凭借其高灵敏度与非侵入式检测优势，可用于保障这些器件的长期稳定运行，为构建万物互联的智能世界贡献力量 。半导体失效分析微光显微镜性价比面对高密度集成电路，Thermal EMMI 凭借高空间分辨率，定位微米级热异常区域。

致晟光电微光显微镜emmi应用领域对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 侦测到亮点之情况    会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应；5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。

EMMI（Emission Microscopy，微光显微镜）是一种基于微弱光发射成像原理的“微光显微镜”，广泛应用于集成电路失效分析。其本质在于：通过高灵敏度的InGaAs探测器，捕捉芯片在加电或工作状态下因缺陷、漏电或击穿等现象而产生的极其微弱的自发光信号。这些光信号通常位于近红外波段，功率极低，肉眼无法察觉，必须借助专门设备放大成像。相比传统的结构检测方法，EMMI无需破坏样品，也无需额外激发源，具备非接触、无损伤、定位等优势。其空间分辨率可达微米级，可用于闩锁效应、栅氧击穿、短路、漏电等问题的初步诊断，是构建失效分析闭环的重要手段之一。
微光显微镜可在极低照度下实现高灵敏成像，适用于半导体失效分析。

在致晟光电的微光显微镜系统中，光发射显微技术凭借优化设计的光学系统与制冷型 InGaAs 探测器，能够捕捉低至皮瓦（pW）级别的微弱光子信号。这一能力使其在检测栅极漏电、PN 结微短路等低强度发光失效问题时，展现出灵敏度与可靠性。同时，微光显微镜具备非破坏性的检测特性，确保器件在分析过程中不受损伤，既适用于研发阶段的失效分析，也满足量产阶段对质量管控的严苛要求。其亚微米级的空间分辨率，更让微小缺陷无所遁形，为高精度芯片分析提供了有力保障。
在半导体可靠性测试中，Thermal EMMI 能快速识别因过应力导致的局部热失控缺陷。自销微光显微镜用户体验

在电路调试中，微光显微镜能直观呈现电流异常区域。科研用微光显微镜按需定制

EMMI 的技术基于半导体物理原理，当半导体器件内部存在缺陷导致异常电学行为时，会引发电子 - 空穴对的复合，进而产生光子发射。设备中的高灵敏度探测器如同敏锐的 “光子猎手”，能将这些微弱的光信号捕获。例如，在制造工艺中，因光刻偏差或蚀刻过度形成的微小短路，传统检测手段难以察觉，EMMI 却能凭借其对光子的探测，将这类潜在问题清晰暴露，助力工程师快速定位，及时调整工艺参数，避免大量不良品的产生，极大提升了半导体制造的良品率与生产效率。科研用微光显微镜按需定制