EMMI 的技术基于半导体物理原理,当半导体器件内部存在缺陷导致异常电学行为时,会引发电子 - 空穴对的复合,进而产生光子发射。设备中的高灵敏度探测器如同敏锐的 “光子猎手”,能将这些微弱的光信号捕获。例如,在制造工艺中,因光刻偏差或蚀刻过度形成的微小短路,传统检测手段难以察觉,EMMI 却能凭借其对光子的探测,将这类潜在问题清晰暴露,助力工程师快速定位,及时调整工艺参数,避免大量不良品的产生,极大提升了半导体制造的良品率与生产效率。晶体管漏电点清晰呈现。低温热微光显微镜性价比

在芯片失效分析的流程中,失效背景调查相当于提前设置好的“导航系统”,它能够为分析人员提供清晰的方向,帮助快速掌握样品的整体情况,为后续环节奠定可靠基础。
首先需要明确的是芯片的型号信息。不同型号的芯片在电路结构、工作原理和设计目标上都可能存在较大差异,因此型号的收集与确认是所有分析工作的起点。紧随其后的是应用场景的梳理。
无论芯片是应用于消费电子、工业控制还是航空航天等领域,使用环境和运行负荷都会不同,这些条件会直接影响失效表现及其可能原因。 实时成像微光显微镜功能捕捉的信号极其微弱,通常在纳瓦级(nW)甚至皮瓦级(pW),因此对系统的探测能力和信噪比要求极高;

芯片出问题不用慌!致晟光电专门搞定各类失效难题~不管是静电放电击穿的芯片、过压过流烧断的导线,还是过热导致的晶体管损伤、热循环磨断的焊点,哪怕是材料老化引发的漏电、物理磕碰造成的裂纹,我们都有办法定位。致晟的检测设备能捕捉到细微的失效信号,从电气应力到热力学问题,从机械损伤到材料缺陷,一步步帮你揪出“病根”,还会给出详细的分析报告。不管是研发时的小故障,还是量产中的质量问题,交给致晟,让你的芯片难题迎刃而解~有失效分析需求?随时来找我们呀!😉
微光显微镜(EmissionMicroscope,EMMI)是一种常用的芯片失效分析手段,可以用于确认芯片的失效位置。其原理是对样品施加适当电压,失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子,这时光子就能被检测到,从而检测到漏电位置。Obirch利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺陷,缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺陷处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺陷位置。国产微光显微镜技术成熟,具备完整工艺。

与 Thermal EMMI 热红外显微镜相比,EMMI 微光显微镜在分析由电性缺陷引发的微弱光发射方面更具优势,能够实现更高精度的缺陷定位;而热红外显微镜则更擅长捕捉因功率耗散导致的局部温升异常。在与扫描电子显微镜(SEM)的对比中,EMMI 无需真空环境,且属于非破坏性检测,但 SEM 在微观形貌观察的分辨率上更胜一筹。在实际失效分析中,这些技术往往互为补充——可先利用 EMMI 快速锁定缺陷的大致区域,再借助 SEM 或 FIB 对目标位置进行精细剖析与结构验证,从而形成完整的分析链路。
Thermal EMMI 通过检测半导体缺陷处的热致光子发射,定位芯片内部隐性电失效点。自销微光显微镜价格
微光显微镜提升了芯片工艺优化中的热、电异常定位效率。低温热微光显微镜性价比
在电性失效分析领域,微光显微镜 EMMI 常用于检测击穿通道、漏电路径以及器件早期退化区域。芯片在高压或大电流应力下运行时,这些缺陷部位会产生局部光发射,而正常区域则保持暗场状态。EMMI 能够在器件正常封装状态下直接进行非接触式观测,快速定位失效点,无需拆封或破坏结构。这种特性在 BGA 封装、多层互连和高集成度 SoC 芯片的分析中尤其重要,因为它能在复杂的布线网络中精细锁定问题位置。此外,EMMI 还可与电性刺激系统联动,实现不同工作模式下的动态成像,从而揭示缺陷的工作条件依赖性,帮助工程师制定更有针对性的设计优化或工艺改进方案。低温热微光显微镜性价比