晶圆加热盘一般是用于承载、加热晶圆的圆盘,所以也有人称它为晶圆加热器。因为使用环境特殊,制作半导体晶圆托盘的材料需要具备许多条件:耐高温能力强、耐磨性能高……,因为是用于高温环境下,导热系数也是越高越好。金属的耐温性没有非金属材料好,非金属导热性没有金属强,但是由于金属在高温下会融化,便只能从非金属材料中寻找导热性强的材料。终于在工业陶瓷中找到了较为合适的材料——氮化铝陶瓷。氮化铝的化学式为AlN,化学组成AI约占,N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色,单晶状态下则是无色透明的,常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间,而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC;热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结。 主要涉及一种电磁感应加热单元结构。上海 PA4025-WP-PCC20A加热板总经销

本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域,尤其涉及一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置。背景技术:随着半导体技术的不断飞速发展,单个芯片上所承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片,这要求更加精细的制造工艺.一种常用的工艺是等离子体化学汽相淀积(pecvd).化学汽相淀积(pecvd)一般用来在半导体晶圆衬底上淀积薄膜,气体起反应在晶圆加热器表面形成一层材料;等离子体cvd晶圆加热器是半导体芯片加工的关键设备,起承载吸附晶圆及提供加热的作用,随着使用次数增加,晶圆在工艺过程中和等离子体cvd晶圆加热器表面接触,高温状态晶圆加热表面的铝材会被晶圆不停磨损,导致晶圆加热器表面平整度及吸附区域尺寸变差,吸附力下降,导致工艺无法正常完成,工艺结果变差。因此就需要将等离子体cvd晶圆加热器表面进行修复,保证表面的平整度和吸附区域尺寸,保证工艺正常进行;现有技术的修复方法是使用数控机床或手工进行修复,但是存在材料去除量较大,数控机床一次去除量为,导致晶圆加热器的可修磨次数少,使用成本高;另外晶圆加热器表面沟槽多、材料太软,导致不好控制表面平整度。上海 PA3015-PCC20A加热板价格多少信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出。

本发明半导体加工领域,尤其涉及一种晶圆加热器。背景技术:现有的晶圆加热设备,加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热,而高精度加热对半导体的工艺至关重要。如中国发明专利cna所公开的一种能够提高照射效率的加热器。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。发光管呈筒状,且所述发光管透光。发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。反射膜设置在发光管的外周面,并对光进行反射。上述现有技术的晶圆加热器无法恒温的均匀加热。技术实现要素:一、要解决的技术问题本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题,特提供一种晶圆加热器,解决现有加热器无法恒温的均匀加热的问题。二、技术方案为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆加热器,包括:加热盘、底板和若干垫柱;加热盘上设有七个加热区域,分别为***加热区域、第二加热区域、第三加热区域、第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域;***加热区域设置于中心区域,第二加热区域和第三加热区域设置于***加热区域外圆周。
为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。图1是本发明实施例的结构原理示意图;图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图;图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明如图1、图2和图3所示,本发明提供一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机1,监测物件温度并反馈正比电压信号的美国雷泰红外线温度测控模块2和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块3.采用上述精确控温高频加热装置的方法,包括如下步骤第一步,开始高频加热,高频机1满负荷加热升温,美国雷泰红外线温度测控模块2监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,美国雷泰红外线温度测控模块2根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块3根据电压值的大小反比例调节高频机1的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块3动态调节高频机1的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。本申请人在未采用上述高频加热温度控制装置及方法时,连续生产过程中测试分析数据。搅拌器附件优异的性能与智能技术令人印象深深的高性能。

推荐的:所述的调节支撑圆柱与研磨盘主体之间、调节支撑圆柱与圆环之间均设置为螺纹连接。推荐的:所述的支撑圆盘本体的材质采用铝合金。推荐的:所述的圆环的材质采用ptfe。推荐的:所述的研磨块的长度与晶圆加热器的修磨面半径相等。本实用新型的有益效果;一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,与传统结构相比:设置有带锁紧及定位功能的晶圆加热器支撑圆盘、连接晶圆加热器支撑圆盘的旋转装置、带水平调整及测量功能的研磨盘、带水平调节功能的安装支架;研磨块的长度与晶圆加热器的半径相等,研磨均匀;本实用新型结构简单,稳定性好,操作方便,研磨快速高效;**降低了工人的劳动强度,大大减小了一次修磨量,增加了晶圆加热器的可修磨次数,延长了晶圆加热器的工作寿命,节约了成本。附图说明图1为本实用新型结构示意图;图2为本实用新型中加热器支撑圆盘结构示意图;图3为本实用新型中旋转装置结构示意图;图4为本实用新型研磨盘结构示意图;图5为本实用新型安装支架结构示意图;图6为本实用新型晶圆加热器结构示意图;在图中:1.加热器支撑圆盘;1-1.支撑圆盘本体;1-2.圆环;1-3.螺丝;2.旋转装置;2-1.固定座;2-2.旋转电机;2-3.连接圆盘;3.研磨盘。防止工质进入过渡沸腾区,从而导致传热恶化,壁温过热。MSA FACTORYPA3003-PCC10A加热板总经销
再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。上海 PA4025-WP-PCC20A加热板总经销
**名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域,高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法,高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域,由于不同的材料比较好淬火温度有所不同,因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点,但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1,通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右,并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大,而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内,因此在加工温度精度要求比较高的材料时,传统的方法不能满足质量的要求;2,即使通过红外温度控制等方式,排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响,晶体管高频加热工件,当外界给出高频断开信号时,由于电源控制系统的问题,高频不能在这一瞬间断开,高频断开往往有个时间滞后,并且这个滞后时间存在一定误差。上海 PA4025-WP-PCC20A加热板总经销
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