本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:随着科技进步,晶片的加工工艺越来越复杂,要求在单位晶圆面积内制作的器件更多,致使晶圆内线路的宽度变得更窄,晶圆在热盘上加热时,对热盘温度的均匀性要求更高。晶圆加热中使用的热盘都是由上盘和压片中夹一块加热片,或是在上盘中埋入几个加热管构成,通过一个温度传感器和一个控制器控制热盘的温度。使得热盘表面温度并不均匀,不能满足高精度晶圆的加工需求。再如中国实用新型u所公开的一种电控晶圆加热盘,包括硅橡胶电热圈、热导金属板、晶圆托盘、电子显示盒和屏蔽罩。所述硅橡胶电热圈与热导金属板连接;所述热导金属板与电子显示盒连接;所述晶圆托盘放置在热导金属板上方,并与电子显示盒相连;所述的屏蔽罩与电子显示盒相连,该实用新型只使用一个电热圈,会出现加热不均匀的情况。技术实现要素:一、要解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺陷,现有的晶圆加热方法存在的均匀性不佳的问题。二、技术方案为解决上述问题,特提供一种晶圆加热装置,晶圆加热装置包括控制模块和多分区热盘,多分区热盘包括***分区和第二分区;***分区包括***加热模块和***温度检测模块。晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。MSA FACTORYPA4015加热板说明书

***圆形温控晶圆夹盘系统是为晶圆和半导体测试设计的。根据客户的需求有不同尺寸、不同温度段的型号供选。并有台面电接地/电悬空,还有同轴/三同轴接口的细节差异。温控晶圆夹盘的台面温度梯度很低,并且厚度设计的很薄,可以集成进探针台。并且台体设有真空吸气槽,可以利用负压来吸附样品。功能特点:结构紧凑,可集成到晶圆探针台上,设计用于探针测试可编程控温,涵盖不同温度段(具体由型号而定)适用不同尺寸晶圆的真空吸附槽设计可降温至80K可选三同轴接口,以实现pA级测试可从温控器或电脑软件控制,可提供软件SDK基本配置:温控晶圆卡盘、mK2000B温控器可选配件安装支架、液氮制冷系统、外壳循环水冷系统台面选项标准:本色氧化可选:镀金晶圆样品真空吸附多个**的真空吸附通道可定制真空吸附方案晶圆顶杆默认无,可定制底座冷却可通循环水,以维持底座温度在常温附近安装可集成到探针台上,可定制安装支架台面电位电接地(R),电悬空(RF),可选三同轴(RT)BNC接口同轴,电悬空或三同轴传感器/温控方式100Ω铂RTD/PID控制(含LVDC降噪电源)温度分辨率℃温度稳定性±℃(>25℃),±℃(<。 苏州PH131B加热板采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。

加热板搅拌器加热搅拌器加热板&搅拌器附件出色的性能与智能技术令人印象深刻的高性能、高安全性和操作简便性,使您能够轻松找到符合您实验室要求的加热设备。我们的加热板、搅拌器、加热搅拌器以及相关附件可以完全满足任何实验室需求。广受欢迎的加热板和搅拌器加热板系列加热搅拌器系列RT2高级加热搅拌器实验室加热板和搅拌器专题目录实验室加热板我们均匀加热的加热板能够提供多种获得可重现结果的能力,包括温度稳定性、耐用性以及远程控制访问的能力,以实现安全性和便捷性。搅拌器我们的搅拌器产品组合在大多数应用中可达到2400rpm的转速,且在严苛的细胞培养应用中保证可靠性、安全性和运行性能,将根据您的全部实验室需求为您提供解决方案。加热搅拌器从基本的搅拌设计到适合危险应用的防爆型加热搅拌器,我们的加热搅拌器可以提供精细的控制和可重复性,满足您的各种应用需求。加热板与搅拌器附件我们的搅拌器控制设备和附件能够补充您的加热板和搅拌器,帮助确保您获得正确装备以快速设置好您的搅拌器。可靠的精度和控制系列加热板、搅拌器以及加热搅拌器可实现出色的结果准确性和重现性。
4为限位柱;5为温度传感器;6为过温保护器;7为隔热环;11为***加热区域;12为第二加热区域;13为第三加热区域;14为第四加热区域;15为第五加热区域;16为第六加热区域;17为第七加热区域。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。实施例一、本实施例的晶圆加热器的结构如图1至4所示包括:加热盘1、底板2和垫柱3加热盘1第二面上设有七个加热区域,分别为***加热区域11、第二加热区域12、第三加热区域13、第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17;***加热区域11设置于中心区域,第二加热区域12和第三加热区域13设置于***加热区域11外圆周,第四加热区域14、第五加热区域15、第六加热区域16和第七加热区域17设置于第二加热区域12和第三加热区域13外圆周;每个加热区域上均设置有若干弧形凹槽,且每个加热区域内的弧形凹槽均与相邻的弧形凹槽连接,使每个加热区域内的弧形凹槽形成串联;每个加热区域内均设置有一根加热丝,加热丝嵌于弧形凹槽内;底板2与加热盘1,使加热丝固定于加热盘1上。垫柱3为peek材料,高度为,设置在加热盘1上。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。

使得同心圆圆弧上的位置温场分布较差。但是传统构造的加热片在采用时候会存在很多疑问:1.中间ω形状的热弧板1在持续加热工作后会有变形,这种变形又会更进一步引致加热片的总体变形,这种总体变形又会让两组加热片之间彼此相近(易于放电打火甚至短路)或上翘,这种远离或相近也会导致左电极3和右电极4,如附图2中相片的黑色箭头指示位置处。2.为了确保加热安定,其加热片的构造相同,这使得直线对称构造的加热片,其左电极3和右电极4在同一侧,会存在短路隐患,更是是总体变形后还会存在挤碎底部陶瓷的高风险。3.为了防范每组加热片之间短路,在每个包抄的加热片之间都会留有空隙22,而传统两组加热片之间存在的空隙22(主要在直线对称轴附近)空间分布不合理,迂回拐点相对处较近,其他地方较宽,会导致提供给芯片发育的热源不安定;同时,这种间隔较大,由于存在较大的温差,故此也致使拱形热片2的迂回拐点特别容易发生变形,附图3中的相片所示;相反,如果在直线对称轴附近留有的空隙较小,又会因为疑问1的缘故特别易于引致短路。目前的解决办法是:对传统加热片频繁的检查,做到早发现,早更换。但是这会增加加热片的使用成本。在测试过程中,每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。苏州PH131B加热板
每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。MSA FACTORYPA4015加热板说明书
本发明半导体加工领域,尤其涉及一种晶圆加热器。背景技术:现有的晶圆加热设备,加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热,而高精度加热对半导体的工艺至关重要。如中国发明专利cna所公开的一种能够提高照射效率的加热器。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。发光管呈筒状,且所述发光管透光。发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。反射膜设置在发光管的外周面,并对光进行反射。上述现有技术的晶圆加热器无法恒温的均匀加热。技术实现要素:一、要解决的技术问题本发明的目的是针对现有技术所存在的上述问题,特提供一种晶圆加热器,解决现有加热器无法恒温的均匀加热的问题。二、技术方案为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆加热器,包括:加热盘、底板和若干垫柱;加热盘上设有七个加热区域,分别为***加热区域、第二加热区域、第三加热区域、第四加热区域、第五加热区域、第六加热区域和第七加热区域;***加热区域设置于中心区域,第二加热区域和第三加热区域设置于***加热区域外圆周。MSA FACTORYPA4015加热板说明书
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