发明人检查失效的原因，发现读点失效为读“0”失效，并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移，具体偏移量经测试统计在4μa以内，而且iref1＜iref0，即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中，若iref＞i，则读出“0”(即闪存读“0”操作时，iref＞i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时，读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后，由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小，如此一来，闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小，超出读出放大器识别范围，于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后，进一步做htol测试，闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。上海顶策科技TH801智能老化系统，芯片状态实时参数正态分布图，散点图等显示，多维度分析芯片状态。闵行区HTOL测试机供应
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闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。上海顶策科技有限公司可靠性测试服务，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性。
进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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MIL-STD-883K-2016：稳态反向偏置S级**少时间有240h到120h共6个级别；B级**少时间352h到12h共10个级别；K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别；B级别最低温度从100℃到250℃；K级最低温度从100℃到125℃。电压大小全部为额定电压B：稳态正向偏置C：稳态功率反向偏置D：并联励磁E：环形振荡器F：温度加速试验————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：blog./qq_36671997/article/details/。 闵行区HTOL测试机供应