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来源: 发布时间:2024年03月20日

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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中,具体标号如下:100-衬底;101-源极;102-漏极;103-隧穿氧化层;104-浮栅;105-栅间介质层;106-控制栅;107-侧墙;具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法,以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例,*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图,

    高温工作寿命实验(Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL)测试目的:芯片处于高温条件下,加入动态信号,并长时间工作,以评估其使用寿命,并确定其可靠性。测试条件:结温(Tj)≧125℃,电压Vcc≧Vccmax,测试时间:1000hrs样品数:77ea/lot,3lots测试读点:168、500、1000hrs参考规范:、JESD22-A108JESD22-A108B:Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85:METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K:Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74:EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest),为利用温度、电压加速方式,在短时间试验内,预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate):评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million),针对失效模式中的InfantMortality,一般测试低于48小时,车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife):评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF,针对失效模式中的Wearout,一般需要测试1000小时,属于抽样测试。 上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性。

    MIL-STD-883K-2016:稳态反向偏置S级**少时间有240h到120h共6个级别;B级**少时间352h到12h共10个级别;K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别;B级别最低温度从100℃到250℃;K级最低温度从100℃到125℃。电压大小全部为额定电压B:稳态正向偏置C:稳态功率反向偏置D:并联励磁E:环形振荡器F:温度加速试验————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:blog./qq_36671997/article/details/。 TH801智能老化系统,实时参数正态分布图,散点图等分析数据,有利于分析芯片性能参数。青浦区HTOL测试机多少钱

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第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断,若iref<i,则闪存读出“1”;若iref>i,则闪存读出“0”。具体的,在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为:初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时,发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。在线HTOL测试机市价