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黄浦区HTOL测试机怎么用

来源: 发布时间:2024年03月24日

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本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图;发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中,具体标号如下:100-衬底;101-源极;102-漏极;103-隧穿氧化层;104-浮栅;105-栅间介质层;106-控制栅;107-侧墙;具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法,以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例,*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图,浙江国内HTOL测试机上海顶策科技TH801智能老化系统,数据异常自动报警,大幅度降低HTOL问题分析难度。

上海顶策科技有限公司,提供可靠性测试整体解决方案,包括HTOL、LTOL、双85、HAST等可靠性设备,以及测试方案制定,PCB设计制作,测试试验,满足各类芯片可靠性测试需求。自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,实时监测并记录环境温度,以及每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据,确保芯片处于正常HTOL状态,保证HTOL测试质量。通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率,节省更多时间、FA成本。全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL数据记录,让报告更有说服力,下游客户更放心。

芯片ATE程序开发及FT测试FT(FinalTest)是芯片在封装完成以后进行的*终的功能和性能测试,是产品质量控制*后环节,通过ATE+Handler+loadboard检测并剔除封装工艺和制造缺陷等生产环节问题的芯片。测试程序覆盖功能和全pin性能参数,并补充CP未覆盖的功能。服务内容:老化方案开发测试硬件设计ATE开发调试可靠性试验在要求点(如0、168、500、1000 hr)进行 ATE 测试,确定芯片是否OK, 记录每颗芯片的关键参数,并分析老化过程中的变化。上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性。

闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术:闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器,其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速,并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中,htol(hightemperatureoperatinglifetest,高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言,在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言,闪存产品需要在10000次的循环之后,通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效,亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。TH801智能老化系统,方便灵活配置芯片状态、施加信号,提高HTOLdebug及Setup效率。普陀区HTOL测试机性能

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包括:将所述源极101和漏极102均悬空,在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1,在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2;其中,所述***擦除电压vc1为负电压,所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v~-8v,本实施例中例如为-9v;所述第二擦除电压vc2的范围为8v~10v,本实施例中例如为9v;擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。本实施例中,闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿),通过在衬底100上施加正电压,在控制栅106上施加负电压,以在隧穿氧化层103中注入空穴,同时减少浮栅104中的电子。黄浦区HTOL测试机怎么用