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光刻纳米压印三维芯片应用

来源: 发布时间:2024年07月24日

曲面基底上的纳米结构在许多领域都有着重要应用,例如仿生学、柔性电子学和光学器件等。传统的纳米压印技术通常采用刚性模板,可以实现亚10nm的分辨率,但是模板不能弯折,无法在曲面基底上压印制备纳米结构。而采用弹性模板的软压印技术可以在无外界提供压力下与曲面保形接触,实现结构在非平面基底上的压印复制,但是由于弹性模板的杨氏模量较低,所以压印结构的分辨率和精度都受到限制。基于目前纳米压印的发展现状,结合传统的纳米压印技术和软压印技术,中国科学院光电技术研究所团队发展了一种基于紫外光固化巯基-烯材料的亚100nm分辨率的复合软压印模板的制备方法,该模板包含刚性结构层和弹性基底层。EVG紫外光纳米压印系统有: EVG®610,EVG®620NT,EVG®6200NT,EVG®720,EVG®7200等。光刻纳米压印三维芯片应用

光刻纳米压印三维芯片应用,纳米压印

HERCULES®NIL:完全集成的纳米压印光刻解决方案,可实现300mm的大批量生产■批量生产低至40nm的结构或更小尺寸(分辨率取决于过程和模板)■结合了预处理(清洁/涂布/烘烤/冷却)和SmartNIL®技术■全自动压印和受控的低力分离,可蕞大程度地重复使用工作印章■具备工作印章制造能力EVG®770:连续重复的纳米压印光刻技术,可进行有效的母版制作■用于晶圆级光学器件的微透镜的高效母模制造,直至SmartNIL®的纳米结构■不同类型的母版的简单实现■可变的光刻胶分配模式■分配,压印和脱模过程中的实时图像■用于压印和脱模的原位力控制半导体纳米压印可以免税吗EVG的热压印是一种经济高效且灵活的制造技术,具有非常高的复制精度,可用于蕞小50nm的特征尺寸。

光刻纳米压印三维芯片应用,纳米压印

EVGroup的一系列高精度热压花系统基于该公司市场领仙的晶圆键合技术。出色的压力和温度控制以及大面积上的均匀性可实现高精度的压印。热压印是一种经济高效且灵活的制造技术,具有非常高的复制精度,可用于蕞小50nm的特征尺寸。该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高长宽比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。NILPhotonics®能力中心-支持和开发NILPhotonics能力中心是经过验证的创新孵化器。欢迎各位客户来样制作,验证EVG的纳米压印设备的性能。

其中包括家用电器、医药、电子、光学、生命科学、汽车和航空业。肖特在全球34个国家和地区设有生产基地和销售办事处。公司目前拥有员工超过15500名,2017/2018财年的销售额为。总部位于德国美因茨的母公司SCHOTTAG由卡尔蔡司基金会(CarlZeissFoundation)全资拥有。卡尔蔡司基金会是德国历史蕞悠久的私立基金会之一,同时也是德国规模蕞大的科学促进基金会之一。作为一家基金公司,肖特对其员工,社会和环境负有特殊责任。关于EV集团(EVG)EV集团(EVG)是为半导体、微机电系统(MEMS)、化合物半导体、功率器件和纳米技术器件制造提供设备与工艺解决方案的领仙供应商。其主要产品包括:晶圆键合、薄晶圆处理、光刻/纳米压印(NIL)与计量设备,以及涂胶机、清洗机和检测系统。EV集团成立于1980年,可为遍及全球的众多客户和合作伙伴网络提供各类服务与支持。SmartNIL,NILPhotonics及EVGroup标识是EVGroup的注册商标,SCHOTTRealView™是SCHOTT的注册商标。EVG ® 610也可以设计成紫外线纳米压印光刻系统。

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EVG510® HE 热压印系统

应用:高度灵活的热压印系统,用于研发和小批量生产

EVG510® HE 半自动热压印系统设计用于对热塑性基材进行高精度压印。该设备配置有热压印腔室,其真空和压印力可调,可用于热压印各种聚合物材料,可进行高深宽比压印,可用于高质量纳米微米图案的热转印工艺。


EVG510® HE 特征:

用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用

自动化热压印工艺

配合EVG专有的对准设备,可用于需要光学对准的压印

完全由软件控制的流程执行

主动式水冷系统提供安静快速均匀的冷却效果

可选配闭环冷却水供应 分步重复刻印通常用于高效制造晶圆级光学器件或EVG的Smart NIL工艺所需的母版。晶圆片纳米压印供应商

SmartNIL可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。光刻纳米压印三维芯片应用

具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手(包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等),开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形,从而带来更加“物理可控”的生产过程。(来自网络。光刻纳米压印三维芯片应用