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FSM413红外干涉测量设备关键词:厚度测量,光学测厚,非接触式厚度测量,硅片厚度,氮化硅厚度,激光测厚,近红外光测厚,TSV,CD,Trench,砷化镓厚度,磷化铟厚度,玻璃厚度测量,石英厚度,聚合物厚度,背磨厚度,上下两个测试头。Michaelson干涉法,翘曲变形。如果您对该产品感兴趣的话,可以给我留言!产品名称:红外干涉厚度测量设备·产品型号:FSM413EC,FSM413MOT,FSM413SADP,FSM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息,请联系我们岱美仪器。F30测厚范围:15nm-70µm;波长:380-1050nm。测膜仪膜厚仪科研应用
F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言,F40能简单地固定在c型转接器上,这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机,能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样,F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40:20nm-40µm400-850nmF40-EXR:20nm-120µm400-1700nmF40-NIR:40nm-120µm950-1700nmF40-UV:4nm-40µm190-1100nmF40-UVX:4nm-120µm190-1700nmITO导电膜膜厚仪质量怎么样F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。
(光刻胶)polyerlayers(高分子聚合物层)polymide(聚酰亚胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底实例:对于厚度测量,大多数情况下所要求的只是一块光滑、反射的基底。对于光学常数测量,需要一块平整的镜面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要进行处理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(铝)gaas(砷化镓)steel(钢)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)应用半导体制造液晶显示器光学镀膜photoresist光刻胶oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶间隙polyimide聚酰亚胺ito纳米铟锡金属氧化物hardnesscoatings硬镀膜anti-reflectioncoatings增透镀膜filters滤光f20使用**仿真活动来分析光谱反射率数据。标准配置和规格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只测试厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm测试厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波长范围200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm准确度大于%或2nm精度1A2A1A稳定性光斑大小20μm至可选样品大小1mm至300mm及更大探测器类型1250-元素硅阵列512-元素砷化铟镓1000-元素硅&512-砷化铟镓阵列光源钨卤素灯。
F60系列包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F60-t:20nm-70µm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40µm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250µm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250µm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250µm190-1700nmF60-t-XT0:2µm-450µm1440-1690nmF60-t-s980:4µm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7µm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10µm-3mm1520-1580nm额外的好处:每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一-周五)网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。分销膜厚仪研发可以用吗
F3-sX 系列测厚范围:10µm - 3mm;波长:960-1580nm。测膜仪膜厚仪科研应用
参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片测膜仪膜厚仪科研应用
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