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湖北膜厚仪一级代理

来源: 发布时间:2022年11月06日

自动厚度测量系统几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。在线厚度测量系统监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100Hz的采样率可以在多个测量位置得到。附件Filmetrics提供各种附件以满足您的应用需要。F20系列世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统只需按下一个按钮,您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。设置同样简单,只需插上设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口,并连接样品平台,F20已在世界各地有成千上万的应用被使用.事实上,我们每天从我们的客户学习更多的应用.选择您的F20主要取决於您需要测量的薄膜的厚度(确定所需的波长范围)紫外光可测试的深度:有秀的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力。湖北膜厚仪一级代理

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光源用于一般用途应用之光源L思-DDT2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款HamamatsuD2光源L思-DLED1具有高亮度白光LED的光源光纤配件:CP-RepairToolKitCP-1-1.3接触探头是相当坚固的,但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令,以及简单的维修工具,新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长,直径200um的光纤,两端配备SMA接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32米长,分叉反射探头。北京膜厚仪有哪些品牌测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ; 3 mm (双探头总厚度测量)。

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备用光源:LAMP-TH1-5PAK:F10、F20、F30、F40、F50、和F60系统的非紫外光源。5个/盒。1200小时平均无故障。LAMP-TH:F42F42系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF60:F60系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF80:F80系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-D2-L10290:L10290氘光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-TH-L10290:L10290钨卤素光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-D2-LS和DT2:LS和DT2光源需更换氘灯,而卤素灯光源需更换使用LAMP-TH1-5PAK.

F40系列包含的内容:集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure读立软件(用于远程数据分析)MA-Cmount安装转接器显微镜转接器光纤连接线BK7参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准聚焦/厚度标准BG-Microscope(作为背景基准)额外的好处:每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一-周五)网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划如果需要了解更多的信息,请访问我们官网或者联系我们。可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下,能够测量到十几层。

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FSM413红外干涉测量设备关键词:厚度测量,光学测厚,非接触式厚度测量,硅片厚度,氮化硅厚度,激光测厚,近红外光测厚,TSV,CD,Trench,砷化镓厚度,磷化铟厚度,玻璃厚度测量,石英厚度,聚合物厚度,背磨厚度,上下两个测试头。Michaelson干涉法,翘曲变形。如果您对该产品感兴趣的话,可以给我留言!产品名称:红外干涉厚度测量设备·产品型号:FSM413EC,FSM413MOT,FSM413SADP,FSM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息,请联系我们岱美仪器。 基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。湖北膜厚仪一级代理

所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。湖北膜厚仪一级代理

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度湖北膜厚仪一级代理

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