辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻机开发了基于阻变存储器（RRAM）的存算一体架构。其激光直写技术在 10nm 厚度的 HfO₂介质层上实现了 5nm 的电极边缘控制，器件的电导均匀性提升至 95%，计算能效比达 10TOPS/W，较传统 GPU 提升两个数量级。基于该技术的边缘 AI 芯片，在图像识别任务中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已应用于智能摄像头和无人机避障系统，相关芯片出货量突破百万片。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。紧凑桌面设计：Polos-BESM系统only占桌面空间，适合实验室高效原型开发。辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

对于纳 / 微机械系统的研究与制造，德国 Polos 光刻机系列展现出强大实力。无掩模激光光刻技术赋予它高度的灵活性，科研人员能够快速将创新设计转化为实际器件。在制造微型齿轮、纳米级悬臂梁等微机械结构时，Polos 光刻机可precise控制激光，确保每个部件的尺寸和形状都符合设计要求。​ 借助该光刻机，科研团队成功研发出新型微机械传感器，其灵敏度和响应速度远超传统产品。并且，由于系统占用空间小，即使是小型实验室也能轻松引入。Polos 光刻机以其低成本、高效率的特性，成为纳 / 微机械系统领域的制造先锋，助力科研人员不断探索微纳世界的奥秘。辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

德国 Polos 光刻机系列的一大突出优势，便是能够轻松输入任意图案进行曝光。在科研工作中，创新的设计理念往往需要快速验证，而 Polos 光刻机正满足了这一需求。科研人员无需花费大量时间和成本制作掩模，只需将设计图案导入系统，就能迅速开始光刻作业。​ 在生物医学工程领域，研究人员利用这一特性，快速制作出具有特殊结构的生物芯片，用于疾病诊断和药物筛选。在材料科学研究中，可根据不同材料特性，定制独特的图案结构，探索材料的新性能。这种灵活的图案输入方式，remarkable缩短了科研周期，加速科研成果的产出，让科研人员能够将更多精力投入到创新研究中。微型传感器量产：80 µm开环谐振器加工能力，推动工业级MEMS传感器升级。

某分析化学实验室采用 Polos 光刻机开发了集成电化学传感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技术在 PDMS 通道底部直接制备出 10μm 宽的金电极，传感器的检测限达 1nM，较传统电化学工作站提升 100 倍。通过软件输入不同图案，可在 24 小时内完成从葡萄糖检测到重金属离子分析的模块切换。该芯片被用于即时检测（POCT）设备，使现场水质监测时间从 2 小时缩短至 10 分钟，相关设备已通过欧盟 CE 认证。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。电子学应用：2μm 线宽光刻能力，第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

掩模制备时间归零，科研人员耗时减少 60%，项目交付周期缩短 50%。辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

柔性电子是未来可穿戴设备的core方向，其电路图案需适应曲面基底。Polos 光刻机的无掩模技术在聚酰亚胺柔性基板上实现了 2μm 线宽的precise曝光，解决了传统掩模对准偏差问题。某柔性电子研究中心利用该设备，开发出可贴合皮肤的健康监测贴片，其传感器阵列的信号噪声比提升 60%。相比光刻胶掩模工艺，Polos 光刻机将打样时间从 72 小时压缩至 8 小时，加速了柔性电路的迭代优化，推动柔性电子从实验室走向产业化落地。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。辽宁BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模