德国POLOS光刻机让你随意进行纳米图案化

在微流体领域，Polos系列光刻机通过无掩模技术实现了复杂3D流道结构的快速成型。例如，中科院理化所利用类似技术制备跨尺度微盘阵列，研究细胞球浸润行为，为组织工程提供了新型生物界面设计策略10。Polos设备的精度与灵活性可支持此类仿生结构的批量生产，推动医疗诊断芯片的研发。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。掩模制备时间归零，科研人员耗时减少 60%，项目交付周期缩短 50%。德国POLOS光刻机让你随意进行纳米图案化

德国 Polos 光刻机系列的一大突出优势，便是能够轻松输入任意图案进行曝光。在科研工作中，创新的设计理念往往需要快速验证，而 Polos 光刻机正满足了这一需求。科研人员无需花费大量时间和成本制作掩模，只需将设计图案导入系统，就能迅速开始光刻作业。​ 在生物医学工程领域，研究人员利用这一特性，快速制作出具有特殊结构的生物芯片，用于疾病诊断和药物筛选。在材料科学研究中，可根据不同材料特性，定制独特的图案结构，探索材料的新性能。这种灵活的图案输入方式，remarkable缩短了科研周期，加速科研成果的产出，让科研人员能够将更多精力投入到创新研究中。德国POLOS光刻机让你随意进行纳米图案化Polos-BESM：基础款高性价比，适合高校实验室基础微纳加工。

Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计，写入区域达155×155 mm，平台双向重复性精度0.1 µm，满足工业级需求。其搭载20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头，支持实时观测与多层对准。配套的BEAM Xplorer软件简化了复杂图案设计流程，内置高性能笔记本电脑实现快速数据处理，成为微机电系统（MEMS）和光子晶体研究的理想工具。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。

柔性电子是未来可穿戴设备的core方向，其电路图案需适应曲面基底。Polos 光刻机的无掩模技术在聚酰亚胺柔性基板上实现了 2μm 线宽的precise曝光，解决了传统掩模对准偏差问题。某柔性电子研究中心利用该设备，开发出可贴合皮肤的健康监测贴片，其传感器阵列的信号噪声比提升 60%。相比光刻胶掩模工艺，Polos 光刻机将打样时间从 72 小时压缩至 8 小时，加速了柔性电路的迭代优化，推动柔性电子从实验室走向产业化落地。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ 光刻机：微型化机身，纳米级曝光精度，微流体芯片制备周期缩短 40%。

可编程微流控芯片需要集成电路控制与流体通道，传统工艺需多次掩模对准，良率only 30%。Polos 光刻机的多材料同步曝光技术，支持在同一块基板上直接制备金属电极与 PDMS 通道，将良率提升至 85%。某微系统实验室利用该特性，开发出可实时切换流路的生化分析芯片，通过软件输入不同图案，10 分钟内即可完成从 DNA 扩增到蛋白质检测的模块切换。该成果应用于 POCT 设备，使现场快速检测系统的体积缩小 60%，检测时间缩短至传统方法的 1/3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。技术Benchmark：Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。河北POLOSBEAM光刻机可以自动聚焦波长

6英寸晶圆兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工业级重复精度0.1 µm。德国POLOS光刻机让你随意进行纳米图案化

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。德国POLOS光刻机让你随意进行纳米图案化