重庆德国POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米

无掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用无掩模激光直写技术，用户可通过软件直接输入任意图案，省去传统光刻中掩膜制备的高昂成本与时间。其405 nm紫外光源和亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）支持5英寸晶圆的高精度加工，特别适合实验室快速原型开发。闭环自动对焦系统（1秒完成）和半自动多层对准功能，remarkable提升微流体芯片和MEMS器件的研发效率62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。高频元件验证：成功开发射频器件与IDC电容器，加速国产芯片产业链突破。重庆德国POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米

对于纳 / 微机械系统的研究与制造，德国 Polos 光刻机系列展现出强大实力。无掩模激光光刻技术赋予它高度的灵活性，科研人员能够快速将创新设计转化为实际器件。在制造微型齿轮、纳米级悬臂梁等微机械结构时，Polos 光刻机可precise控制激光，确保每个部件的尺寸和形状都符合设计要求。​ 借助该光刻机，科研团队成功研发出新型微机械传感器，其灵敏度和响应速度远超传统产品。并且，由于系统占用空间小，即使是小型实验室也能轻松引入。Polos 光刻机以其低成本、高效率的特性，成为纳 / 微机械系统领域的制造先锋，助力科研人员不断探索微纳世界的奥秘。四川光刻机光源波长405微米全球产业链整合：德国精密制造背书，与Lab14集团共推光通信芯片封装技术。

德国 Polos 光刻机系列的一大突出优势，便是能够轻松输入任意图案进行曝光。在科研工作中，创新的设计理念往往需要快速验证，而 Polos 光刻机正满足了这一需求。科研人员无需花费大量时间和成本制作掩模，只需将设计图案导入系统，就能迅速开始光刻作业。​ 在生物医学工程领域，研究人员利用这一特性，快速制作出具有特殊结构的生物芯片，用于疾病诊断和药物筛选。在材料科学研究中，可根据不同材料特性，定制独特的图案结构，探索材料的新性能。这种灵活的图案输入方式，remarkable缩短了科研周期，加速科研成果的产出，让科研人员能够将更多精力投入到创新研究中。

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术，突破传统光刻对物理掩膜的依赖，支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑，only占桌面空间，搭配闭环自动对焦（1秒完成）和半自动多层对准功能，大幅提升实验室原型开发效率，适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。电子学应用：2μm 线宽光刻能力，第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-BESM：基础款高性价比，适合高校实验室基础微纳加工。河北德国BEAM光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

光刻胶broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，优化参数降低侧壁粗糙度。重庆德国POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米

SPS POLOS µ以紧凑的桌面设计降低实验室设备投入，光束引擎通过压电驱动实现高速扫描（单次写入400 µm区域）。支持AZ5214E等光刻胶的高效曝光，成功制备3 µm间距微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速验证。其无掩模特性进一步减少材料浪费，为中小型实验室提供经济解决方案62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。重庆德国POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米