天津6096J9赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。锂保PCB应用注意事项-布局。天津6096J9赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

深圳市芯纳科技为移动办公设备厂商供应赛芯 XR4981A，在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时，对供电系统的带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率，能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明，搭载该控制器的笔记本扩展坞，在连接 4 个 USB 设备时，输出电压仍能稳定在 20V，确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%，便于用户携带。在电池供电模式下，该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%，减少了户外办公时的电量焦虑。此外，其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板，提升了设备的使用安全性，为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。
珠海6096J9赛芯集成MOS 两节锂保在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。

赛芯： XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出

多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中，由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应，严重影响电池性能与使用寿命，甚至引发安全问题，因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供，而二级保护则是在一级保护的基础上，确保完整的用户安全，为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护：当电池充电时，若任意一节电池达到充满状态，二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中，任意一节电池充满，相应的OC口会变为低电平，使对应的管子截止，进而让OC变为低电平，结束充电周期。芯纳科技精选赛芯微 ic，SOT23-5 封装保护芯片，节约 PCB 板空间降低成本。

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。芯纳科技经销赛芯微 ic，低静态电流芯片，降低设备待机能耗延长续航。苏州XBM4451赛芯内置MOS 两节锂保

芯纳科技直销赛芯微 ic，锂电池充电 IC 充电效率高，提升设备续航体验。天津6096J9赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、天津6096J9赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保