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山西开关二极管伏安特性

来源: 发布时间:2022年12月18日

高压二极管是指设计用于在极高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作,如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料,二极管可以承受极高的功率。因此,在处理高压或电压尖峰时,通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。山西开关二极管伏安特性

稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。 [1]  此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。山西开关二极管伏安特性双向瞬态二极管具有对称的伏安特性。

    SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,比较高*约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路**率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。

MOS管,即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(比较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。场效应管是利用多数载流子导电的电压控制元件,在只允许从信号源取较少电流的情况下,一般选用场效应管。MOS管一般应用于放大、阻抗变换、可变电阻、恒流源、电子开关等应用场合。我们可提供多种封装类型及规格的PMOS和NMOS产品,产品封装形式有TO-252、PDFN5*6、ESOT-23、SOP-8、SOT-23、PDFN2*2、PDFN3*3、SOT-363、SOT-323、TO-220、TO-220F、ESOP-8、TO-247等。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA,相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态,此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下,当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时,它在极短的时间内(比较高可达到1×10-12秒)迅速转入反向导通状态,并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上,从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。干扰脉冲过去后,TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时,其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压,因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位时间<1ns[1]。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用时动作迅速、寿命长、使用方便,因此在瞬变电压防护领域有着非常***的应用。最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。山西开关二极管伏安特性

稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。山西开关二极管伏安特性

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