LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。LED的**显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。LD是激光二极管的英文缩写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了***的应用。二者在原理、架构、效能上的差别。（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。（3）效能上的差别：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。 SBD*****的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右。山东二极管电路图
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，**终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。河北大电流二极管国产替代二极管最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。
温度系数α如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：%/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高。对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，可使温度系数达到℃。—反向漏电流指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=，IR=10uA。 二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。山东二极管电路图
贴片二极管的封装类型有：SOD-123,SOD323,DO-214AA等。山东二极管电路图
高压二极管是指设计用于在极高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作，如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料，二极管可以承受极高的功率。因此，在处理高压或电压尖峰时，通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 山东二极管电路图
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