二极管种类:PIN二极管(P-intrinsic-N Diode)PN之间一层高电阻的半导体层,使少数载子的积蓄效果增加,逆回复时间也较长。利用顺向偏压时高频率讯号较容易通过的性质,用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管应用于低功率微波振荡器。交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极管,实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大。广东稳压二极管作用
二极管VD1温度补偿电路分析:利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高,根据三极管特性可知,VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时,二极管VD1的管压降会下降一些,VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些,结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知,加入二极管VD1后,原来温度升高使VT1基极电流增大的,现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些,这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用,所以VD1可以起温度补偿的作用。瞬变抑制二极管二极管PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
光电二极管的主要部分是P-N结,和普通的二极管一样,P-N结属于单向导电的非线性元件,在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下),多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消,没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时,如果照射的光子有足够大的能量,那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区,并在内电场E的作用下,电子漂移到N区,空穴漂移到P区,使N区带负电荷,P区带正电荷,进而产生附加电势,我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压,且外加偏压方向与P一结内电场 一致时,光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结,形成导电电流。
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性。
二极管共有两种工作状态:截止和导通。二极管导通与截止有一定的工作条件。二极管导通的条件有两个:正向偏置电压;正向偏置电压大到一定程度,对于硅二极管而言为0.6V。只要正向电压达到一定的值,二极管便导通,导通后二极管相当于一个导体,二极管的两根引脚之间的电阻很小,相当于接通。二极管导通后,所在回路存在电流,这一电流流动方向从二极管正极流向负极。如果给二极管正极加的电压低于负极电压,这是给二极管加反向偏置电压给二极管加上反向偏置电压后,二极管处于截止状态,二极管的两根引脚之间的电阻很大,相当于开路。二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。广东电子二极管
二极管它具有单向导电性能, 即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。广东稳压二极管作用
光电二极管又称为光敏二极管,它是一种将光信号变成电信号的半导体器件。它的主要部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是:光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。光电二极管的电路符号、结构及实物。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。工作时加反向电压,没有光照时,其反向电阻很大,只有很微弱的反向饱和电流(暗电流)。当有光照时,就会产生很大的反向电流(亮电流),光照越强,该亮电流就越大。广东稳压二极管作用
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