标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来。有源晶振尺寸
陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，1：压电陶瓷材料，2：压电石英材料。陶瓷晶振别名又叫陶振；在中国晶振厂家经常这样叫法。陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），**产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，**产品：ZTT4.0MHZ。频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五。有源晶振尺寸晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。
串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。
开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时间（如1小时）的频率的变化率，表示了晶振达到稳定的速度。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的。因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的比较大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内比较大的总频率变化（如：±1ppm/（***年）和±5ppm/（十年））来表示。晶体振荡器主要用于提供稳定时钟信号的数字集成电路和需要高频参考的特定应用中。
陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料，在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起：这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷；表面是黑色，基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层，也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好，不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小，热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。6.芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。广东晶振工作电压
晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等。有源晶振尺寸
频率准确度。频率准确度是指在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变时，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的比较大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0。④温度稳定度。温度稳定度是指其他条件保持不变时，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的比较大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。⑤频率调节范围。通过调节晶体振荡器的某可变元件可改变输出频率的范围。⑥负载特性。其他条件保持不变时，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的比较大允许频偏。有源晶振尺寸
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