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北京高负载电容型晶振老化

来源: 发布时间:2023年04月12日

14.318兆赫兹时钟晶振,用于时钟芯片。14.318兆赫兹晶振不起振,会影响主板上电后全板无复位。起振波形不正常,还有可能导致主机开机不稳定的现象发生。24.576兆赫兹音频晶振,与声卡芯片相连。晶振不起振可能会出现无音频信号,抓不住声卡等问题。32.768千赫兹圆柱晶振,实时晶振,与南桥相连,32.768千赫兹晶振能直接会影响主板系统时钟的准确性,若损坏,会出现时钟走时不准确。25兆赫兹晶振,与网卡芯片相连,晶振不起振会影响不上电,或上电后断电或不开机现象,单边起振也出现上电后断电现象。27兆赫兹晶振,为BGA内部VGA部分提供相关工作时钟,27兆晶振不起振则会影响VGA无显示。当加到石英晶体两端信号的频率不同时,它会呈现出不同的特性。北京高负载电容型晶振老化

陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料,在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起:这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷;表面是黑色,基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层,也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好,不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小,热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤,机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线(避光性好),可满足光学相关产品的低反射要求。6.芯片和电路不受周围环境影响,绝缘性和气密性好,其气密性能满足高密封的高要求。北京高负载电容型晶振老化电压控制晶体振荡器(VCXO),是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。

标称频率:振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度:振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。调整频差:在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的比较大允许频率偏差。负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。工作温度范围:能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。

短稳:短期稳定度。频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。晶振具有压电效应,即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形,如外力使晶片变形,两极上金属片又会产生电压。

电压特性。。其他条件保持不变时,,电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的比较大允许频偏。、⑧杂波。杂波是指输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比,用dBc表示。、⑨谐波。、谐波是指谐波分量功率Pi与载波功率P0之比,用dBc表示。⑩日波动。指振荡器经过规定的预热时间后,每隔1h测量一次,连续测量24h,将测试数据按S=(fmax-fmin)/f0计算,得到日波动。陶瓷晶振能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线(避光性好),可满足光学相关产品的低反射要求。河南玻璃真空密封型晶振厂家

不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标注在晶振外壳上。北京高负载电容型晶振老化

标称频率。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路(IC)内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同,振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。一般来说,有低负载电容(串联谐振晶体)和高负载电容(并联谐振晶体)之分。因此,标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致,不能轻易互换,否则会造成电路工作不正常。北京高负载电容型晶振老化

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