金华电子二极管测量方法

面接触式二极管：面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体（如本征硅）的一端成为一个包含负极性载流子（电子）的区域，称作N型半导体；另一端成为一个包含正极性载流子（空穴）的区域，称作P型半导体。两种材料在一起时，电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和电洞相互抵销，造成中间区域载流子不足，形成“空乏层”。在空乏层内部存在“内电场”：N型侧带正电，P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结，晶体允许电子（外部来看）从N型半导体一端，流向P型半导体一端，但是不能反向流动。发光二极管的原理与光电二极管相反。金华电子二极管测量方法

开关二极管开关特性说开关二极管同普通的二极管一样，也是一个PN结的结构，不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。当给开关二极管加上正向电压时，二极管处于导通状态，相当于开关的通态；当给开关二极管加上反向电压时，二极管处于截止状态，相当于开关的断态。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。 开关二极管就是利用这种特性，且通过制造工艺，开关特性更好，即开关速度更快，PN结的结电容更小，导通时的内阻更小，截止时的电阻很大。无锡检波二极管供应光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。

二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，其流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

二极管的正向特性:外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。

二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：（1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连，而它的负极通过R2与地线相连，这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是：正极上电压高于负极上电压。（2）利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的，因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压，根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。无锡检波二极管供应

发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源。金华电子二极管测量方法

稳压二极管在汽车电路上的应用：在汽车电路中由于各个电器总成或元件的工作电流比较大，使汽车电源系统的电压会出现波动，因此，在一些需要精确电压值的地方经常利用稳压管来获取所需电压。下图是利用稳压管为汽车仪表提供稳定电源的电路，图中的稳压管与电阻串联而与仪表并联。当电源电压发生变化时，也只是引起不同大小的电流流过电阻和稳压管，改变电阻上的电压，而稳压管始终维持一定的电压，从而起到稳压的作用。）稳压二极管的检测稳压二极管的极性和性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似，不同之处在于：当使用指针式万用表的R×1kΩ挡测量二极管时，测得其反向电阻是很大的，此时，将万用表转换到R×10kΩ挡，如果出现万用表指针向右偏转较大角度，即反向电阻值减小很多，则该二极管为稳压二极管；如果反向电阻基本不变，说明该二极管是普通二极管，而不是稳压二极管。金华电子二极管测量方法

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