晶振振动模式与频率关系：基频1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成Ri、R0：仪器内阻：一般为50ΩR1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。晶振振动模式与频率关系：基频1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成Ri、R0：仪器内阻：一般为50ΩR1--滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。R2--滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。石英晶振封装按生产工艺可以划分为：金属封装，玻璃封装， 电阻焊。广东压控晶振封装
石英晶体谐振器（英文：quartzcrystalunit或quartzcrystalresonator，常被标识为Xtal，ExtenalCrystalOsillator，外部晶振器，因为晶振单元常常作为电路外接），简称石英晶体或晶振，是利用石英晶体（又称水晶）的压电效应，用来产生高精度振荡频率的一种电子元件，属于被动元件。该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。重庆有源晶振负载晶体是指其中的原子、分子、或离子以规则、重复的模式朝各方向延伸的一种固体。
石英晶振谐振器。谐振器一般分为插件(Dip)和贴片（SMD）插件中又分为HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型（柱状晶振）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称"高型"，而HC-49S一般称49S，俗称"矮型"，HC-49SS一般称49SS，俗称（超矮型，通常是2.5mm封装高度），音叉型按照体积分可以分为3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。贴片型是按大小和脚位来分类。例如7*5(0705）、6*3.5(0603）、5*3.2（5032）等等。脚位有4pin和2pin之分。而振荡器也可以分为插件和贴片。插件可以按大小和脚位来分。例如所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin和8pin都是指振荡器内部**IC的脚位数。振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分，又可分为OSC（普通钟振）、TCXO（温补钟振）、VCXO（压控钟振）、OCXO（恒温钟振）等等。
有源晶振型号众多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接法也不同，下面我介绍一下有源晶振引脚识别，以方便大家：有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。有源晶振是用石英晶体组成的，石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（由晶片的尺寸和形状决定）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。如果给晶片加上适当的交变电压，晶片就会产生谐振。
陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料，在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起：这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷；表面是黑色，基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层，也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好，不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小，热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。6.芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。压控晶体振荡器(VCXO)：通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。山东恒温晶振尺寸
陶瓷晶振能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。广东压控晶振封装
晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。广东压控晶振封装
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