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河南齐纳二极管阵列

来源: 发布时间:2023年02月06日

高压SBD图2肖特基二极管长期以来,在输出12V~24V的SMPS中,次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中,只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来,美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机,先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺,形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构,如图2所示。采用这种结构的SBD,击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度,使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍,达到150V和200V。在正向偏置时,高压SBD的PN结的导通门限电压为,而肖特基势垒的结电压*约,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间。河南齐纳二极管阵列

熟悉二极管的特性就知道,二极管***的一个特性就是单向导电性。当电流流过二极管处时,由于二极管的单向导电性,阻止了电流流过,此时的负载无法构成回路,对负载电路没有任何影响。假如没有这个防电源接反二极管,当电源接反时,此时负载电路构成回路,负载流过的电流与正常情况不一样,从而导致负载电路烧毁。一般情况下,电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时,而烧毁电路板。防反二极管一般接在电源输入端的正极上,当然也可接在负极上。 湖南齐纳二极管电路图传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。

高压二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。高压整流二极管电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有比较大整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。

瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS二极管过电压反应的速度会比其他的过电压保护元件(例如压敏电阻或是气体放电管)要快。实际的箝位大约只有一皮秒,但因为实际电路中导线存在电感,因此保护元件需容许较长时间的大电压。因此TVS二极管会比其他元件适合保护电路不受很快,而且有破坏性的电压突波。像许多分散式的电路都有这种快速的过电压突波,可能因为内部因素或是外部因素造成,例如闪电或是马达短路。 在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被***采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。 面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用。江西通用二极管电压

二极管可作开关用,常用型号为1N4148。河南齐纳二极管阵列

桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接,外用绝缘朔料封装而成,大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热。桥式整流器品种多:有扁形、圆形、方形、板凳形(分直插与贴片)等,有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从,比较高反向峰值电压从50V到1600V。全桥的正向电流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(比较高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。一般桥式整流器(整流桥)命名中有3个数字,***个数字**额定电流,A;后两个数字**额定电压(数字*100),V。如:KBL407即4A,700V。KBPC5010即50A,1000V(1234567,005、01、02、04、06、08、10分别**电压档的50V,100V,200V,400V,600V,800V,1000V)。 河南齐纳二极管阵列

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