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天津贴片二极管原理

来源: 发布时间:2023年02月07日

    变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管",是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其比较大值为几十pF到几百pF,比较大电容与**小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。图2变容二极管与反向偏压变容二极管属于反偏压二极管,改变其PN结上的反向偏压,即可改变PN结电容量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的,如图2所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解:(a)反向偏压增加,造成电容减少;(b)反向偏压减少,造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示**小值、标称值及比较大值,这些经常绘在图上。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的。天津贴片二极管原理

稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。 [1]  此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。山西玻璃二极管正负新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。

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高压二极管是指设计用于在极高电压下工作或暴露在高电压下具有特定特性的任何二极管。几乎任何二极管都可以在任何电压下工作,如果这正是它所要做的。通过加固二极管的部分并在其构造过程中使用特定材料,二极管可以承受极高的功率。因此,在处理高压或电压尖峰时,通常使用几种二极管。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来,这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。

发光二极管,简称为LED,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用***。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有***的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现,早期只能发出低光度的红光,之后发展出其他单色光的版本,能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等;随着技术的不断进步,发光二极管已被***地应用于显示器和照明。 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。天津贴片二极管原理

高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短,开、关频率更快。天津贴片二极管原理

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中*有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 天津贴片二极管原理

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