石英晶振谐振器。谐振器一般分为插件(Dip)和贴片（SMD）插件中又分为HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型（柱状晶振）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称"高型"，而HC-49S一般称49S，俗称"矮型"，HC-49SS一般称49SS，俗称（超矮型，通常是2.5mm封装高度），音叉型按照体积分可以分为3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。贴片型是按大小和脚位来分类。例如7*5(0705）、6*3.5(0603）、5*3.2（5032）等等。脚位有4pin和2pin之分。而振荡器也可以分为插件和贴片。插件可以按大小和脚位来分。例如所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin和8pin都是指振荡器内部**IC的脚位数。振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分，又可分为OSC（普通钟振）、TCXO（温补钟振）、VCXO（压控钟振）、OCXO（恒温钟振）等等。晶振的谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定。重庆高负载电容型晶振
陶瓷谐振器，一般习惯叫陶瓷晶振，但是它是以锆钛酸铅(PZT)分子式:Pb(Zr1-XTiX)O3为主要原料，将其加工成有压电效应的陶瓷材料。然后进行极化处理制作成陶瓷片。镀银后放入有弹性电极的壳内进行密封。陶瓷谐振器的精度一般为±300ppm~500ppm，应用在普通产品上，例如USB,玩具，硬盘，驱动等对精度要求不高的产品。石英晶振是对石英晶片施加压力，晶片上会产生电荷；反之，对晶片两端的电极施加电压时，晶体会产生机械变形。晶片的频率取决于晶片的切割，尺寸等因素。晶片的Q值越高，频率越稳定。石英晶振应用在仪器仪表，通信系统等。重庆高负载电容型晶振陶瓷晶振能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。
晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。
晶振也就是晶振振荡器，是一种利用晶体作为频率选择元件来获得逆压电效应的电子振荡器。它利用具有压电特性的振动晶体的机械共振，以获得具有高精度频率的电信号。晶体振荡器被认为优于陶瓷谐振器，因为它们具有更高的稳定性、更高的质量、更低的成本和更小的尺寸。晶体振荡器是固定频率振荡器之一，其中它们的精度和稳定性是**重要的考虑因素。它们通常使用与其他类型的振荡器相同的电路，不同之处在于晶体取代了调谐电路。在晶体振荡器中，晶体作为谐振器振动，产生的频率决定了振荡频率。换句话说，晶体就像一个具有精确谐振频率的电感器、电阻器和电容器的电路。在某些情况下，为了使晶体振荡器具有更好的热稳定性，会应用温度补偿。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度：振荡器输出频率在室温（25℃±2℃）下相对于标称频率的偏差。调整频差：在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的比较大允许频率偏差。负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。温度补偿晶体振荡器通过附加的温度补偿电路，使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶振。湖南压控晶振工作电压
陶瓷晶振高稳定性、抗干扰特性，热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。重庆高负载电容型晶振
电压控制晶体振荡器。电压控制晶体振荡器（VCXO），是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中，通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽，实际的牵引度范围约为±200×10-6甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高，可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比，这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。重庆高负载电容型晶振
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