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江苏ESD二极管特性

来源: 发布时间:2023年02月20日

    肖特基二极管又称SBD,是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的。肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,肖特基二极管也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中*有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。江苏ESD二极管特性

温度系数α如果稳压管的温度变化,它的稳定电压也会发生微小变化,温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数(单位:%/℃)。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿,温度系数是负的;高于6V的属雪崩击穿,温度系数是正的。温度升高时,耗尽层减小,耗尽层中,原子的价电子上升到较高的能量,较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿,因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时,温度增加使晶格原子振动幅度加大,阻碍了载流子的运动。这种情况下,只有增加反向电压,才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的,而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+°C,即温度每升高1°C,其稳压值将升高。对电源要求比较高的场合,可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿,温度系数大大减小,可使温度系数达到℃。—反向漏电流指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时,IR=,IR=10uA。 江苏肖特基二极管伏安特性由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。

整流桥(桥堆)整流桥(桥堆)内部由多个二极管组成,外用绝缘塑料封装而成,主要作用是整流,调整电流方向。不同的应用场合选择不同的桥堆,我司可提供普通整流桥、快恢复整流桥、高效恢复整流桥、超快恢复整流桥、肖特基桥等。产品封装形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M,GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等,电流高达50A,电压达从几百伏至几千伏,电流可达几十安培。

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典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图1所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场低,用其制作的SBD击穿电压较低,反向漏电流较大。北京普通整流二极管特性

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的。江苏ESD二极管特性

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