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山西瞬态抑制二极管选型

来源: 发布时间:2023年03月02日

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。一般在高速接口中需要考虑TVS的结电容问题。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。山西瞬态抑制二极管选型

220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器,此高压直流变化范围是240V~360V,而由于变压器漏感和引线电感的存在,关断过电压可以高达几千伏,功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS,这样将关断过电压控制在300V以内,加上电源电压,功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时,由于开关变压器线圈漏感的存在,会产生极高的反电势,有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后,可以有效地吸收电压尖峰,保护功率开关管的安全,降低对功率开关管耐压的要求。河北5000W瞬态抑制二极管参数将TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲。

来明电子团队在电路保护领域深耕多年,从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品,瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W,另有可替代MOV用超级TVS产品,产品电流可分为3kA,6kA,10kA,可达16kA。产品封装类型有SOD-123,SOD-123FL,SMA(DO-214AC),SMAF,SMB(DO-214AA),SMC(DO-214AB),SMBF,SMCF,DO-15,DO-41,DO-201,DO-218AB,TO-277等。并可提供车规级TVS器件,特殊需求可根据客户要求定制。。

长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验,发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。箝位时间TC 是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR 的时间。

PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压,因此,PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。湖南5000W瞬态抑制二极管参数

特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。山西瞬态抑制二极管选型

实际产品中,**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看Spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出,一个TVS所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。山西瞬态抑制二极管选型

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