TVS瞬态抑制二极管失效模式：1：当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2：当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全，TVS通流量过小造成的。3：电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化、散热能力下降）过热烧毁。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平。3000W瞬态抑制二极管
TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。北京SMB瞬态抑制二极管选型TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。
PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压，因此，PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。
TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。DO-201封装的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。
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由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压低、无损坏极限、体积小等优点。3000W瞬态抑制二极管
5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。3000W瞬态抑制二极管
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