场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。氧化物半导体场效应管销售厂
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。 惠州SOT-23-3L场效应管销售厂家在场效应晶体管中,当以线性模式工作时,电子可以沿任意方向流过沟道。
场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
场效应管:当带电荷的生物分子在离子敏感膜上发生识别并形成复合物时,或生物分子在离子敏感膜上发生生化反应形成有离子型产物(如H+) 时,将引起离子敏感膜表面电荷密度的改变,从而改变离子敏感膜电位,这就相当于通过外电源调节栅极电压,达到控制源极与漏极之间的沟道电流的目的。而且,栅极敏感膜上的生物分子吸附量与漏极输出电流在一定范围内有线性相关性。因此,通过测量漏极电流大小就可以定量分析发生在栅极离子敏感膜上的生物反应,这些生物反应包括核酸杂化、蛋白质作用、抗体抗原结合,以及酶底物反应。 1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。氧化物半导体场效应管销售厂
场效应管可以用作电子开关。氧化物半导体场效应管销售厂
场效应管的应用常用的场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管 。CMOS (互补金属氧化物半导体)工艺技术是现代数字化集成电路的基础。这种工艺技术采用一种增强模式设计,即p沟道MOSFET和n沟道MOSFET串联连接,使得当一个导通时,另一个闭合。在场效应晶体管中,当以线性模式工作时,电子可以沿任意方向流过沟道。漏极和源极的命名惯例有些随意,因为器件通常(但不总是)从源极到漏极对称构建。这使得场效应晶体管适合在路径之间切换模拟信号(多路复用)。利用这个概念可用于构建固态混合板。 氧化物半导体场效应管销售厂
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