CAK45W-C-4V-100uF-K

钽电容与其它电子元件相比，钽电容的优势在于其高稳定性和低漏电流。此外，钽电容的体积小，可以节省空间，并且耐压能力也非常强，可以有效防止电子元件的损坏。在选择钽电容时，需要根据不同的应用场景选择不同规格的型号。例如，对于高稳定性和低漏电流要求较高的场景，可以选择***的钽电容；对于耐压能力要求较高的场景，可以选择较高电压等级的钽电容。钽电容器的使用方法非常简单，只需要将其接入电路中即可。在使用过程中，需要注意电容器的额定电压和电流是否符合电路的要求，以及电容器的温度是否在允许范围内。钽电容的种类繁多，可以根据不同的应用需求选择不同的类型。CAK45W-C-4V-100uF-K

电子整机的电源部分;电容器并联使用在此类电路,除了要求对输入的信号进行滤波外,往往同时还兼有按照一定频率和功率进行放电的要求.因为是电源电路,因此,此类电路的回路阻抗非常低,以保证电源的输出功率密度足够.在此类开关电源电路中[也叫DC-DC电路],在每次开机和关机的瞬间,电路中会产生一个持续时间小于1微秒的**度尖峰脉冲,其脉冲电压值至少可以达到稳定的输入值的3倍以上,电流可以达到稳态值的10倍以上,由于持续时间极短,因此,其单位时间内的能量密度非常高,如果电容器的使用电压偏高,此时实际加在产品上的脉冲电压就会远远超过产品的额定值而被击穿.因此,使用在此类电路中的钽电解电容器容许的使用电压不能超过额定值的1/3.如果不分电路的回路阻抗类型,一概降额50%,在回路阻抗比较低的DC-DC电路,一开机就有可能瞬间出现击穿短路或现象.在此类电路中使用的电容器应该降额多少,一定要考虑到电路阻抗值的高低和输入输出功率的大小和电路中存在的交流纹波值的高低.因为电路阻抗高低可以决定开关瞬间浪涌幅度的大小。内阻越低的电路降额幅度就应该越多。对于降额幅度大小,切不可一概而论.必须经过精确的可靠性计算来确定降额幅度.GCA70-40V-6.8uF-K-3不同规格的钽电容具有不同的自恢复时间和动作阈值等特性，需要根据实际应用进行选择。

烧结：在高温高真空条件下将钽坯烧成具有一定机械强度的高纯钽块。b）目的：一是提纯，二是增加机械强度。c）烧结温度对钽粉比容有什么影响？随着烧结温度的提高,比容是越来越小,并不完全呈直线状。因为随着温度的提高,钽粉颗粒之间收缩得越来越紧密,以至于有些孔径被烧死、堵塞，钽块是由多孔状的钽粉颗粒组成的，随着温度的提高，颗粒的比表面积越来越小，这样就导致钽粉的比容缩小。d）烧结温度对钽粉的击穿电压有什么影响？烧结温度越高，杂质去除得越干净，所以击穿电压随着烧结温度的提高而提高，并不是完全呈直线状。

缺点容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流能力较弱。它被应用于大容量滤波的地方，像CPU插槽附近就看到钽电容的身影，多同陶瓷电容，电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。三、主要特性(1)具有单向导电性，即所谓有“极性”，应用时应按电源的正、负方向接入电流，电容器的阳极(正极)接电源“+”极，阴极(负极)接电源的“-”极如果接错不仅电容器发挥不了作用，而且漏电流很大，短时间内芯子就会发热，破坏氧化膜随即失效。(2)工作电压有一定的上限平值，但这方面的缺点对配合晶体管或集成电路电源，是不重要的。(3)可以非常方便地获得较大的电容量，在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。(4)具有非常高的工作电场强度，并较任何类型电容器都大，以此保证它的小型化。(5)具有储藏电量、进行充放电等性能。钽电容在电子设备中的使用数量和类型需要根据设备的性能要求和使用环境等因素进行合理规划。

硝酸锰浓度：被膜时先做稀液，目的是稀硝酸锰容易渗透至钽粉颗粒的细微孔隙中，让里面被透，如果被不透，阴极面积缩小，被膜容量和赋能容量就会相差很多，这种情况也会反映在损耗上，损耗大。要求在做浓液之前，可解剖一个钽芯观察里面有无被透，如果没有被透，要增加一次稀液，低比容粉颗粒大，硝酸锰容易渗入，高比容粉颗粒小，不太容易渗入，小钽芯稀液次数少，大钽芯稀液次数要适当增加。做浓液、强化液是为了增加二氧化锰膜层厚度，如果膜层没有一定的厚度，加电压时，在上下端面轮廓处等到地方容易产生类端放电，该处的氧化膜造成击穿，所以做强化液的时候，尽量要避免上小下大，或上大下小，膜层厚度要均匀。稀酸锰的酸度很重要，它会直接影响到硝酸锰的渗透性和分解质量，一般每做时要用试纸测试，达不到工艺要求，要加硝酸调配。滴入硝酸后要搅拌均匀。稀硝酸锰一个星期换一次，浓硝酸锰一个月换一次（也视产量和硝酸锰清洁程度）。钽电容的内部结构包括阳极、阴极和电解质，其中阳极是钽材料制成的。CAK45W-C-4V-100uF-K

在钽电容器的选择过程中，需要考虑电路的需求、性能要求和成本等因素。CAK45W-C-4V-100uF-K

电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。CAK45W-C-4V-100uF-K