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WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54331CY

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM4013WAS4642Q-24/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN2534-24L。

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V，步长为0.1V

· 输出电流：500mAPSRR（电源抑制比）：在1KHz时为65dB

· 压降电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100uV

· 静态电流：典型值为150μA

此外，WL2803E系列还具备热关断（OTP）和电流限制功能，以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时，采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用：

· LCD电视

· 机顶盒（STB）

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源，具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比，有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求，适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性：

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用：

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323。

WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET

产品描述：

     WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 槽型技术

· 超高密度单元设计

· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换器

· 电路电源开关

· 负载开关充电

       WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPT2E33-3/TR 三极管(BJT) 封装：SOT-89-3。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54331CY

WS74199B-6/TR 电流感应放大器 封装：SOT-363。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54331CY

WD1502F：28V,2A降压型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）转换器

    WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作，并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作，并采用脉冲宽度调制（PWM）。在轻负载电流时，它会进入脉冲跳变调制（PSM）操作，以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装，为标准无铅和无卤素产品。

其主要特性包括：

· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压

· 典型的650kHz开关频率

· 2A连续输出电流

· 低至2μA的关机电流，60μA的静态电流

· 内部5mS软启动

· 峰值效率>94%

· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关

· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关

· 逐周期过流保护

应用领域包括：

· 12V、24V分布式电源总线供电

· 工业应用

· 白色家电

· 消费类应用

     WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD54331CY