规格书WILLSEMI韦尔WNMD2171

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 

描述

   WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。

特性

1、输入电压范围：2.5~5.5V

2、主开关RON：80mΩ@VIN=5V

3、调整电流限制范围：0.4~2A（典型值）

4、电流限制精度：±20%

5、自动放电

6、反向阻断（无“体二极管”）

7、过温保护

应用

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 WNM2020-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2171

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性：

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻，适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用：

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2171ESD56301D05-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1610-2L。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

WL2815低功耗CMOSLDO（低压差线性稳压器）

产品描述：

     WL2815系列是一款低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

静态电流：1.5μA（典型值）

输入电压：2.1V~5.5V

输出电压：1.1V~3.3V

输出电流：@VOUT=3.3V时为300mA

输出电流：@VOUT=2.0V时为200mA

输出电流：@VOUT=1.5V时为150mA

压差电压：@100mA时为100mV

推荐电容器：1uF或更大

工作温度：-40°C至+85°C

输出短路保护

应用领域：

MP3/MP4播放器

手机

蓝牙耳机

无线鼠标

其他电子设备

    WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器，性能优异，低静态电流，高效能，延长电池寿命。优化设计，使用低成本陶瓷电容器，在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装，符合环保标准，是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

      其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。

     应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 ESD9N12BA-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65626DV

WS4508E-5/TR 电池管理 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2171

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2171