淄博MTAC75晶闸管智能模块厂家

    使设备进入稳态运行。若一次起动不成功，即自动调频电路没有抓住中频电压反馈信号，此时，它激信号便会一直扫描到比较低频率，重复起动电路一旦检测到它激信号进入到比较低频段，便进行一次再起动，把它激信号再推到比较高频率，重新扫描一次，直至起动成功，重复起动的周期约为。由CON2-1和CON2-2输入的中频电压信号，经IC1A转换成方波信号，输入到IC6的30角，由IC6的15P、16P输出的逆变触发信号。经IC7A隔离放大后，驱动逆变触发CMOS晶体管Q5、Q6。IC4B和IC4C构成逆变压控时钟，输入到IC6的33脚CLOK2；同时又由IC7B进行频压转换后用于驱动频率表。W6微调电位器用于设定压控时钟的比较高频（即逆变它激信号的比较高频率），W5微调电位器用于整定外接频率表的读数。另外，当发生过电压保护时，IC6内部的过电压保护振荡器起振，输出2倍于比较高逆变频率的触发脉冲，使逆变桥的4只晶闸管均导通。IC4A为起动失败检测器，其输出控制IC6内部重复起动电路。过电流保护信号经Q3倒相后，送到IC6的20P，整流触发脉冲：驱动“”LED批示灯亮和驱动报警继电器。过电流触发器动作后，只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”，方可再次运行。正高电气愿与各界朋友携手共进，共创未来！淄博MTAC75晶闸管智能模块厂家

晶闸管模块使用注意事项

科学合理的选型和适当的维护可有效延长产品的使用寿命，用户可参考以下标准进行产品的维护和保养：

（1）初次使用该产品的用户一定要熟读说明书，了解产品的基本情况和使用方法；

（2）在产品选型时根据使用条件按标准要留出足够的电流余量，并保证足够的散热条件。

（3）工作场所环境温度范围：-25℃～+45℃；

（4）模块周围应干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体和气体；

（5）模块不能当作隔离开关使用，为保证安全，模块前面需加空气开关；

（6）模块各紧固螺钉一定要拧紧，避免因接触不良导致次生热量产生，且会降低通过的电流量。初次使用应在工作一段时间后（建议8小时之内）再把同模块连接的所有螺钉紧固一遍；

（7）模块基板底部的导热硅脂建议三至四个月更换一次，或采用导热垫，可有效延长产品使用寿命。

（8）电网电压不稳定或电流变化大的场所一定要在产品输入端安装快速熔断器或加装稳流稳压板。 聊城MTAC800晶闸管智能模块哪家好正高电气受行业客户的好评，值得信赖。

    但是在设定电流限值时必须要根据电动机的初始转矩来设定，否则设置过小会起动失败或烧坏电机。此种起动方式起动时间相对较长。图3限流起动4、突跳起动这种起动方式主要应用在负载相对较重的工作环境下。在转矩控制的基础下，在起动的瞬间采用一个突跳转矩用来克服负载的静转矩，然后转矩在逐渐上升，直至电动机到达正常工作状态。这种起动方式的优点是可以缩短起动时间，起动较重的负载，但在起动的时候会对电网产生一定的冲击，影响同一电网下其他负荷的工作。图4突跳起动5、软停车软停车的实际上就相当于相反软起动过程，主要作用是消除了系统的反惯性冲击，对于泵类负载来讲就是克服了“水锤”效应。其主要过程是在电动机实行软停车时软起动装置的旁路接触器断开，同时晶闸管开始工作，使电机电压逐渐下降，转速降低，达到软停车的效果。（如图5）图5软起动和软停车全过程6、泵控起动及停车由于水泵类负载其相对特殊的机械特性，部分软起动厂家针对泵类负载的特性曲线专门设计了泵控型起动和停车方式，该种起动方式可以通过电机平滑的加速和减速，使离心泵在起动和停机期间降低水锤冲击。主控电路通过采集信号分析电机的各个运行参数。

    以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值。正高电气累积点滴改进，迈向优良品质！

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气尊崇团结、信誉、勤奋。淄博MTAC75晶闸管智能模块厂家

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    由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，所以元件在关断过程中，正向电压下降到零时，内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使积蓄载流子迅速消失，这时反向电流消失的极快，即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小，电感产生的感应电势L（di/dt）值仍很大，这个电势与电源电压串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压，称为关断过电压，其数值可达工作电压峰值的5～6倍，所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮，电阻防止电容与电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗与电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子，即引线要短。比较好采用无感电阻，以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。（2）压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压（V1mA），是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择，主要考虑额定电压和通流容量。淄博MTAC75晶闸管智能模块厂家

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