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2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的 PN 结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于 50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。3、合金型二极管在 N 型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作 PN 结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其 PN 结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流线性稳压电源主电路的工作过程首先通过预设电路对输入电源进行初步的交流稳压，将其转换为直流电。四川ESD静电管/放电管供应商

大体意义上讲，PN结的定义为：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，一般半导体的材料选择为硅或者锗，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。具体介绍PN结的形成大体分为三步，首先扩散运动，P区的空穴浓度远大于N区的自由电子浓度，因此，P区的空穴必然向N区扩散，并与N区中的自由电子复合而消失；同样，N区的自由电子必然向P区漂移，并与P区中的空穴复合而消失。其次是空间电荷区的产生，扩散运动导致了P区一侧失去空穴而留下负离子，N区一侧失去电子而留下正离子，这些不能移动的带电离子称为空间电荷，相应地这个区域称为空间电荷区，较后由于有正离子和负离子，这样在空间电荷区内就会产生一个内电场，内电场的产生让多子的扩散和少子的漂移达到了一个动态平衡，较后形成了PN结。四川ESD静电管/放电管供应商线性稳压电源由调整管、参考电压、取样电路、误差放大电路等几个基本部分组成。深圳市凯轩业电子。

较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的较高工作频率。

13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”表示“峰”；而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。控制芯片，就选深圳市凯轩业电子科技，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！

（一）整流桥的原理和介绍整流桥的整流作用是通过二极管的单向导通原理来完成工作的，通俗的来说二极管它是正向导通和反向截止，也就是说，二极管只允许它的正极进正电和负极进负电。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时它能使电路中的电流只按单向流动。整流器通常由4只二极管组成单相桥式全波整流器和6只二极管组成三相桥式全波整流器（现在很多厂家将其封装在一个器件上，易于我们使用）。分别使用在单相线路和三相线路的整流。对于单相桥式全波整流器，在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。线性稳压电源，线性稳压电源和整流原理：将380VAC转换为所需的DC。凯轩业电子。四川ESD静电管/放电管供应商

线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源，深圳市凯轩业科技。四川ESD静电管/放电管供应商

主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA 四川ESD静电管/放电管供应商