碲镉汞（MCT）材料成品率低需求有望不断上升碲镉汞（HgCdTe），英文简称MCT，是由碲、镉、汞组成的三元固溶体，是一种窄带半导体材料，具有电子有效质量小、电子迁移率高、响应速度快等优点。碲镉汞材料主要应用在远红外探测领域，是一种重要的红外探测器材料，可用来制造碲镉汞红外探测器。20世纪70年代以来，受益于晶体生长技术、外延技术不断进步，碲镉汞材料研究逐步深入。碲镉汞属于带隙可调半导体材料，通过调节组分中镉（Cd）的含量，可精确控制材料禁带宽度、改变波长，可以完全覆盖短波、中波、长波等整个红外波段，利用碲镉汞为敏感材料制造而成的碲镉汞红外探测器具有波长覆盖范围宽、图像质量高、灵敏度高、探测率高等优点，因此碲镉汞成为红外探测器行业的关键材料之一。碲镉汞是由离子键结合的三元半导体材料，碲、镉、汞之间互作用力小，组分中汞的性质不稳定，各组分含量的微小偏差即会引起带隙变化，因此碲镉汞材料易出现组分不均匀、产品不稳定等缺陷问题，材料在生长过程中工艺控制难度高，且加工难度大。总的来看，碲镉汞材料成品率低、生产成本高，制造的碲镉汞红外探测器属于产品，价格高昂。需要品质光电探测器供应建议选择宁波宁仪信息技术有限公司！云南一氧化氮光电探测器报价
碲镉汞探测器(Mercurytelluridedetector)是指用碲镉材料制备的光电转换器件。该探测器属本征探测器，有光导。碲镉汞的电子有效质量小而本征载流子浓度低，吸收系数大，量子效率高，因而制成的探测器噪声低，探测率高。电子迁移率高，响应谱带宽。光伏型时间常数约为1μm、光导型的约为1μm，适合于激光架测。对于μm的应用，即带顶下一个谱带宽度处存在分裂带。利用这特性可获得高性能二级管。碲镉汞探测器具有本征激发，高吸收系数、高量子效率、高探测率和响应波段等优点，因而被广泛应用于各民用及科研领域。应用播报编辑激光对红外探测器的辐照效应及损伤机理的研究已经成为科学研究的一项重要课题。国外在本领域的研究工作起于20世纪70年代。对于激光破坏光电探测器的长久性效应做了较深入的研究。 云南氧化亚氮光电探测器定制品质光电探测器供应请选宁波宁仪信息技术有限公司，有需要可以电话联系我司哦！
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光电探测器是一种能够将光信号转化为电信号的设备。它广泛应用于光学通讯、光纤通讯、激光雷达、医疗设备、安防监控等领域。光电探测器的基本工作原理是将光信号转换成电信号。当光线照射到半导体材料上时，光子会撞击半导体物质中的电子，使其跃迁到导带，从而形成空穴和电子对。这种有效载流子对（电子-空穴对）会在半导体中移动，并且在外部加上偏压时形成电流。常见的光电探测器有以下几种：光电二极管（Photodiode）：可用于检测弱光信号，响应速度快。光电倍增管（PhotomultiplierTube，PMT）：可用于检测极微弱的光信号，具有很高的增益。光电导管（Phototube）：可以检测可见光和红外线信号，输出电流稳定。光敏三极管（Photo-Transistor）：与普通三极管类似，具有较强放大能力。 品质光电探测器供应，选宁波宁仪信息技术有限公司，需要可以电话联系我司哦。
近十年来，面阵碲镉汞红外焦平面器件发展所采用的主要技术路线为CdZnTe基、GaAs基和硅基HgCdTe焦平面技术，面阵规模从320×256的面阵发展到中大规模的640×512、1k×512和1k×1k焦平面器件，以及2k×512和2k×2k焦平面器件。与此同时，面阵焦平面像元尺寸从30、25、18μm发展到15μm。随红外焦平面阵列规模不断扩大，传统CdZnTe衬底尺寸限制，使Si基HgCeTe成为突破衬底尺寸的限制、发展大规格面阵焦平面的一条有效途径，为此，在GaAs碲镉汞分子束外延技术的基础上，SITP重点发展了3in/4in硅衬底上分子束外延生长的碲镉汞材料制备技术，在芯片工艺中采用芯片级应力释放结构设计，精确控制了pn结耗尽区位置，降低了芯片表面处理对pn结漏电的影响，还同时采用了硅基碲镉汞材料组分缓变结构、精确控制芯片腐蚀深度等措施，降低了耗尽区漏电，从而改善了pn结特性，获得了25~30μm中心距的640×512红外焦平面器件和18μm中心距1024×1024红外焦平面器件，短波/中波红外焦平面平均探测率分别大于1×1012cmHz1/2/W、5×1011cmHz1/2/W，噪声等效温差小于15mK，响应非均匀性小于5%。图4为640×512碲镉汞中波红外焦平面组件和成像。 需要品质光电探测器供应可选择宁波宁仪信息技术有限公司。江苏氧化亚氮光电探测器价格
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