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MOS管，又被称为场效应管、开关管，其英文名称“MOSFET”是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的缩写，在实际应用中，人们常简称它为MOS管。从外观封装形式来看，MOS管主要分为插件类和贴片类。

众多的MOS管在外观上极为相似，常见的封装类型有TO-252、TO-251、TO-220、TO-247等，其中TO-220封装常用。由于型号繁多，依靠外观难以区分不同的MOS管。

按照导电方式来划分，MOS管可分为沟道增强型和耗尽型，每种类型又进一步分为N沟道和P沟道。在实际应用场景中，耗尽型MOS管相对较少，P沟道的使用频率也比不上N沟道。N沟道增强型MOS管凭借其出色的性能，成为了开关电源等领域的宠儿。它有三个引脚，当有丝印的一面朝向自己时，从左往右依次是栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。 低输出阻抗 + 能源高效利用，多场景适配无压力。重庆12V至200V P MOSFETMOSFET供应商价格行情

MOS管的“身体构造”

以最常见的N沟道增强型MOS管为例，它的结构就像个三明治：

1. 底层：一块P型硅衬底，相当于地基；

2. 中间夹心：两个高浓度N+区，分别作为源极和漏极，就像溪流的两端；

3. 顶层魔法：金属铝栅极+二氧化硅绝缘层，构成“电场遥控器”。

当栅极没电时，源漏极之间像隔着两座背对背的山（PN结），电流根本无法通过。但一旦栅极电压超过某个阈值（比如2V），神奇的事情发生了——P型衬底里的自由电子会被吸引到绝缘层下方，形成一条N型“电子隧道”，电流瞬间畅通无阻！这就像用磁铁吸起散落的铁屑铺成桥，电压越大，“桥”越宽，电流跑得越欢。 重庆12V至200V P MOSFETMOSFET供应商价格行情利用技术优势，以国内新技术代Trench/SGT产品作为首代产品；

MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性

正温度系数

源/漏金属与N+半导体区域之间的非理想接触，以及用于将器件连接到封装的引线，都可能产生额外的电阻。RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高而增加。这是因为空穴和电子的迁移率随着温度的升高而降低。P/N沟道功率MOSFET在给定温度下的RDS(ON)，可通过公式估算。

这是MOSFET并联稳定性重要特征。当MOSFET并联时RDS(ON)随温度升高，不需要任何外部电路的帮助即可获得良好的电流分流。

正温度系数的注意事项

尽管RDSON的正温度系数使得并联容易，在实际使用中还需要注意到以下问题：栅源阈值电压VTH及CGD、CGS如有不同会影响到动态均流。应尽可能使电路布局保持对称。同时防止寄生振荡，如在每个栅极上分别串联电阻。RDSON的正温度特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的选择。

MOS管工作原理：电压控制的“智能闸门”

MOS管的工作状态就像水龙头调节水流：

- 截止区：栅极电压不足（VGS＜阈值），闸门紧闭，滴水不漏；

- 可变电阻区：闸门微开，水流大小随电压线性变化；

- 饱和区：闸门全开，水流达到比较大且稳定，适合做放大电路。

实际应用中，MOS管常在“开闸放水”（导通）和“关闸断流”（截止）之间快速切换。比如手机处理器里，每秒数十亿次的开关动作，就是靠数以亿计的微型MOS管协作完成的，既省电又高效。

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一、什么是MOS管？

MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。

二、MOS管的构造。

MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是N型还是P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

三、MOS管的特性。

MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作。上文部分内容采用网络整理，如有侵权行为，请及时联系管理员删除； 想要体验高性能 MOSFET？商甲半导体送样不收费。上海无刷直流电机MOSFET供应商价格行情

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MOS管的工作原理

增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID=0。NMOS管--此时若在栅-源极间加上正向电压，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。PMOS管--若在栅-源极间加上反向电压，即VGS<0(Vg<Vs),则会导通，电流方向是自源极到漏级。控制栅极电FVGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流!D的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。

MOS管的特性

MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Si02绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-灄极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:

1)MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2)MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。 重庆12V至200V P MOSFETMOSFET供应商价格行情

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；