双向可控硅(TRIAC,Triode for Alternating Current)是一种特殊的半导体开关器件,能够双向导通交流电流。双向可控硅的工作原理基于内部两个反并联的单向可控硅结构。当 T2 接正、T1 接负时,门极加正向触发信号,左侧单向可控硅导通;当 T1 接正、T2 接负时,门极加反向触发信号,右侧单向可控硅导通。导通后,主电流通过时产生的压降维持导通状态。在交流电路中,电流每半个周期过零时自动关断,若需持续导通,需在每个半周施加触发信号。这种双向导通机制使其能便捷地控制交流负载的通断与功率。 可控硅模块的耐压范围通常为几百至几千伏。ixys艾赛斯可控硅原装
单向可控硅和双向可控硅虽都属于可控硅家族,但在诸多方面存在明显差异。从结构上看,单向可控硅为四层三端结构,由PNPN组成;双向可控硅则是NPNPN五层结构,有三个电极。工作特性方面,单向可控硅只能在一个方向导通电流,在交流电路中只在正半周或负半周的正向电压期间,且有触发信号时导通,电压过零自动关断;双向可控硅可在交流电路的正、负半周均导通,能双向控制电流。应用场景上,单向可控硅常用于直流电路控制,如直流电机调速、电池充电控制等,在交流电路中主要用于交流调压、整流等;双向可控硅更适用于交流控制电路,像灯光亮度调节、交流电机正反转控制等。在选择使用时,需根据电路的具体需求,综合考虑二者的特性,来确定合适的可控硅器件。 双管可控硅品牌哪家好可控硅特性:高耐压、大电流、低导通损耗、快速开关。

小信号可控硅的额定电流通常小于1A,如NXP的BT169D(0.8A/600V),主要用于电子电路的过压保护或逻辑控制。这类器件常采用SOT-23等微型封装,门极触发电流可低至1mA。中等功率器件(1-100A)如Littelfuse的S8025L(25A/800V)是家电控制的主流选择。而大功率可控硅(>100A)几乎全部采用模块化设计,例如Westcode的S70CH(700A/1800V)采用平板压接结构,需配套水冷系统。特别地,在超高压领域(>6kV),如ABB的5STP30N6500(3000A/6500V)采用串联芯片技术,用于轨道交通牵引变流器。功率等级的选择需同时考虑RMS电流和浪涌电流(如电机启动时的10倍过载)。
双向可控硅与单向可控硅的差异单向可控硅和双向可控硅虽都属于可控硅家族,但在诸多方面存在明显差异。双向可控硅与单向可控硅的主要差异在于导电方向和应用场景。单向可控硅只能能单向导通,适用于直流电路;双向可控硅可双向导通,专为交流电路设计。结构上,单向可控硅为四层结构,双向可控硅为五层结构。触发方式上,单向可控硅需正向触发,双向可控硅正负触发均可。关断方式上,两者均需电流过零或反向电压,但双向可控硅在交流半周自然关断更便捷,无需额外关断电路。 Infineon英飞凌智能可控硅模块集成温度保护和故障诊断功能。

深入探究单向可控硅的导通机制,能更好地理解其工作特性。在未施加控制信号时,若只在阳极 A 与阴极 K 间加正向电压,由于中间 PN 结 J2 处于反偏状态,此时单向可控硅处于正向阻断状态。当在控制极 G 与阴极 K 间加上正向电压后,情况发生变化。从等效电路角度,可将单向可控硅看作由 PNP 型晶体管和 NPN 型晶体管相连组成。控制极电压使得 NPN 型晶体管的基极有电流注入,进而使其导通,其集电极电流又作为 PNP 型晶体管的基极电流,促使 PNP 型晶体管导通。而 PNP 型晶体管的集电极电流又反馈回 NPN 型晶体管的基极,形成强烈的正反馈。在极短时间内,两只晶体管迅速进入饱和导通状态,单向可控硅也就此导通。导通后,控制极失去对其导通状态的控制作用,因为晶体管导通后,NPN 型晶体管的基极始终有 PNP 型晶体管的集电极电流提供触发电流。这种导通机制为其在各类电路中的应用奠定了基础。 三相可控硅模块可用于大功率电机控制。非绝缘型可控硅有哪些
选择可控硅时需考虑额定电流、电压和散热条件。ixys艾赛斯可控硅原装
英飞凌可控硅的封装技术特点英飞凌在可控硅封装技术上独具匠心,采用多种先进封装形式。螺栓式封装设计巧妙,螺纹部分便于安装在散热器上,确保良好的散热效果,适用于中小功率可控硅在一般电子设备中的安装,操作简单且维护方便。平板式封装则充分考虑了大功率散热需求,大面积的平板结构能与散热器紧密贴合,有效将热量散发出去,保证了大功率可控硅在高负荷工作时的稳定性。模块式封装更是英飞凌的一大特色,它将多个可控硅芯片集成在一个模块中,不仅结构紧凑,减少了电路板空间占用,而且外部接线简单,互换性强。在工业自动化生产线中,英飞凌模块式封装的可控硅方便设备的组装与维护,提高了生产效率,降低了设备故障率。 ixys艾赛斯可控硅原装