广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备,在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统,具备纳米级分辨率,可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半...
定期检查与维护磁控溅射设备是确保其稳定运行和降低能耗的重要措施。通过定期检查设备的运行状态,及时发现并解决潜在问题,可以避免设备故障导致的能耗增加。同时,定期对设备进行维护,如清洁溅射室、更换密封件等...
在晶圆键合技术的设备适配性研究中,科研团队分析现有中试设备对不同键合工艺的兼容能力,提出设备改造的合理化建议。针对部分设备在温度均匀性、压力控制精度上的不足,团队与设备研发部门合作,开发了相应的辅助装...
全固态电池晶圆键合解除安全魔咒。硫化物电解质-电极薄膜键合构建三维离子高速公路,界面阻抗降至3Ω·cm²。固态扩散反应抑制锂枝晶生长,通过150℃热失控测试。特斯拉4680电池样品验证,循环寿命超50...
针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用,科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性,团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形,再通过分步刻蚀工艺将图形转移到...
在电子束曝光与离子注入工艺的结合研究中,科研团队探索了高精度掺杂区域的制备技术。离子注入的掺杂区域需要与器件图形精确匹配,团队通过电子束曝光制备掩模图形,控制离子注入的区域与深度,研究不同掺杂浓度对器...
围绕电子束曝光的套刻精度控制,科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中,各层图形的对准精度直接影响器件性能,团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法,将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的...
研究所针对电子束曝光在高频半导体器件互联线制备中的应用开展研究。高频器件对互联线的尺寸精度与表面粗糙度要求严苛,科研团队通过优化电子束曝光的扫描方式,减少线条边缘的锯齿效应,提升互联线的平整度。利用微...
在电子束曝光的三维结构制备研究中,科研团队探索了灰度曝光技术的应用。灰度曝光通过控制不同区域的电子束剂量,可在抗蚀剂中形成连续变化的高度分布,进而通过刻蚀得到三维微结构。团队利用该技术在氮化物半导体表...
电子束曝光设备的运行成本较高,团队通过优化曝光区域选择,对器件有效区域进行曝光,减少无效曝光面积,降低了单位器件的制备成本。同时,通过设备维护与参数优化,延长了关键部件的使用寿命,间接降低了设备运行成...
利用高分辨率透射电镜观察,发现量子点的位置偏差可控制在较小范围内,满足量子器件的设计要求。这项研究展示了电子束曝光技术在量子信息领域的应用潜力,为构建高精度量子功能结构提供了技术基础。围绕电子束曝光的...
将电子束曝光技术与深紫外发光二极管的光子晶体结构制备相结合,是研究所的另一项应用探索。光子晶体可调控光的传播方向,提升器件的光提取效率,科研团队通过电子束曝光在器件表面制备亚波长周期结构,研究周期参数...
电子束曝光实现空间太阳能电站突破。砷化镓电池阵表面构建蛾眼减反结构,AM0条件下光电转化效率达40%。轻量化碳化硅支撑框架通过桁架拓扑优化,面密度降至0.8kg/m²。在轨测试数据显示1m²模块输出功...
晶圆键合驱动智能感知SoC集成。CMOS-MEMS单片集成消除引线键合寄生电容,使三轴加速度计噪声密度降至10μg/√Hz。嵌入式压阻传感单元在触屏手机跌落保护中响应速度<1ms,屏幕破损率降低90%...
现代科研平台将电子束曝光模块集成于扫描电子显微镜(SEM),实现原位加工与表征。典型应用包括在TEM铜网制作10μm支撑膜窗口或在AFM探针沉积300纳米铂层。利用二次电子成像和能谱(EDS)联用,电...
围绕晶圆键合技术的标准化建设,该研究所联合行业内行家开展相关研究。作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会倚靠单位,其团队参与了多项行业标准的研讨,针对晶圆键合的术语定义、测试方法等提出建议。在自身...
研究所将晶圆键合技术与第三代半导体中试能力相结合,重点探索其在器件制造中的集成应用。在深紫外发光二极管的研发中,团队尝试通过晶圆键合技术改善器件的散热性能,对比不同键合材料对器件光电特性的影响。利用覆...
研究所利用电子束曝光技术制备微纳尺度的热管理结构,探索其在功率半导体器件中的应用。功率器件工作时产生的热量需快速散出,团队通过电子束曝光在器件衬底背面制备周期性微通道结构,增强散热面积。结合热仿真与实...
研究所针对电子束曝光在大面积晶圆上的均匀性问题开展研究。由于电子束在扫描过程中可能出现能量衰减,6 英寸晶圆边缘的图形质量有时会与中心区域存在差异,科研团队通过分区校准曝光剂量的方式,改善了晶圆面内的...
电子束曝光颠覆传统制冷模式,在半导体制冷片构筑量子热桥结构。纳米级界面声子工程使热电转换效率提升三倍,120W/cm²热流密度下维持芯片38℃恒温。在量子计算机低温系统中替代液氦制冷,冷却能耗降低90...
电子束曝光技术通过高能电子束直接轰击电敏抗蚀剂,基于电子与材料相互作用的非光学原理引发分子链断裂或交联反应。在真空环境中利用电磁透镜聚焦束斑至纳米级,配合精密扫描控制系统实现亚5纳米精度图案直写。突破...
电子束曝光解决微型燃料电池质子传导效率难题。石墨烯质子交换膜表面设计螺旋微肋条通道,降低质传阻力同时增强水管理能力。纳米锥阵列催化剂载体使铂原子利用率达80%,较商业产品提升5倍。在5cm²微型电堆中...
科研团队在晶圆键合的对准技术上进行改进,针对大尺寸晶圆键合中对准精度不足的问题,开发了一套基于图像识别的对准系统。该系统能实时捕捉晶圆边缘的标记点,通过算法调整晶圆的相对位置,使对准误差控制在较小...
在电子束曝光的三维结构制备研究中,科研团队探索了灰度曝光技术的应用。灰度曝光通过控制不同区域的电子束剂量,可在抗蚀剂中形成连续变化的高度分布,进而通过刻蚀得到三维微结构。团队利用该技术在氮化物半导体表...
量子点显示技术借力电子束曝光突破色彩转换瓶颈。在InGaN蓝光晶圆表面构建光学校准微腔,精细调控量子点受激辐射波长。多层抗蚀剂工艺形成倒金字塔反射结构,使红绿量子点光转化效率突破95%。色彩一致性控制...
电子束曝光推动基因测序进入单分子时代,在氮化硅膜制造原子级精孔。量子隧穿电流检测实现DNA碱基直接识别,测序精度99.999%。快速测序芯片完成人类全基因组30分钟解析,成本降至100美元。在防控中成...
电子束曝光重塑人工视觉极限,仿生像素阵列模拟视网膜感光细胞分布。脉冲编码机制实现动态范围160dB,强光弱光场景无损成像。神经形态处理内核每秒处理100亿次突触事件,动态目标追踪延迟只有0.5毫秒。在...
电子束曝光实现空间太阳能电站突破。砷化镓电池阵表面构建蛾眼减反结构,AM0条件下光电转化效率达40%。轻量化碳化硅支撑框架通过桁架拓扑优化,面密度降至0.8kg/m²。在轨测试数据显示1m²模块输出功...
研究所利用人才团队的优势,在晶圆键合技术的基础理论研究上投入力量,探索键合界面的形成机制。通过分子动力学模拟与实验观察相结合的方式,分析原子间作用力在键合过程中的变化规律,建立界面结合强度与工艺参数之...
针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用,科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性,团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形,再通过分步刻蚀工艺将图形转移到...