研究所利用多平台协同优势,对晶圆键合后的器件可靠性进行多维评估。在环境测试平台中,键合后的器件需经受高低温循环、湿度老化等一系列可靠性试验,以检验界面结合的长期稳定性。科研人员通过监测试验过程中器件电...
硅光芯片制造中晶圆键合推动光电子融合改变。通过低温分子键合技术实现Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅波导的异质集成,在量子阱能带精确匹配机制下,光耦合效率提升至95%。热应力缓冲层设计使波长漂移小于0.03nm,...
电子束曝光推动基因测序进入单分子时代,在氮化硅膜制造原子级精孔。量子隧穿电流检测实现DNA碱基直接识别,测序精度99.999%。快速测序芯片完成人类全基因组30分钟解析,成本降至100美元。在防控中成...
科研团队探索电子束曝光与化学机械抛光技术的协同应用,用于制备全局平坦化的多层结构。多层器件在制备过程中易出现表面起伏,影响后续曝光精度,团队通过电子束曝光定义抛光阻挡层图形,结合化学机械抛光实现局部区...
电子束曝光开创液体活检新纪元,在硅基芯片构建纳米级细胞分选陷阱。仿血脑屏障多级过滤结构实现循环肿瘤细胞高纯度捕获,微流控电穿孔系统完成单细胞基因测序。早期检出灵敏度达0.001%,在肺病筛查中较CT检...
电子束曝光颠覆传统制冷模式,在半导体制冷片构筑量子热桥结构。纳米级界面声子工程使热电转换效率提升三倍,120W/cm²热流密度下维持芯片38℃恒温。在量子计算机低温系统中替代液氦制冷,冷却能耗降低90...
电子束曝光解决固态电池固固界面瓶颈,通过三维离子通道网络增大电极接触面积。梯度孔道结构引导锂离子均匀沉积,消除枝晶生长隐患。自愈合电解质层修复循环裂缝,实现1000次充放电容量保持率>95%。在电动飞...
针对柔性衬底上的电子束曝光技术,研究所开展了适应性研究。柔性半导体器件的衬底通常具有一定的柔韧性,可能影响曝光过程中的晶圆平整度,科研团队通过改进晶圆夹持装置,减少柔性衬底在曝光时的变形。同时,调整电...
围绕电子束曝光的套刻精度控制,科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中,各层图形的对准精度直接影响器件性能,团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法,将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的...
研究所将晶圆键合技术与深紫外发光二极管(UV-LED)的研发相结合,探索提升器件性能的新途径。深紫外 LED 在消毒、医疗等领域有重要应用,但其芯片散热问题一直影响着器件的稳定性和寿命。科研团队尝试通...
电子束曝光中的新型抗蚀剂如金属氧化物(氧化铪)正面临性能挑战。其高刻蚀选择比(硅:100:1)但灵敏度为10mC/cm²。研究通过铈掺杂和预曝光烘烤(180°C/2min)提升氧化铪胶灵敏度至1mC/...
量子点显示技术借力电子束曝光突破色彩转换瓶颈。在InGaN蓝光晶圆表面构建光学校准微腔,精细调控量子点受激辐射波长。多层抗蚀剂工艺形成倒金字塔反射结构,使红绿量子点光转化效率突破95%。色彩一致性控制...
在量子材料如拓扑绝缘体Bi₂Te₃研究中,电子束曝光实现原子级准确电极定位。通过双层PMMA/MMA抗蚀剂堆叠工艺,结合电子束诱导沉积(EBID)技术,直接构建<100纳米间距量子点接触电极。关键技术...
广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备,在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统,具备纳米级分辨率,可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半...
针对电子束曝光在教学与人才培养中的作用,研究所利用该技术平台开展实践培训。作为拥有人才团队的研究机构,团队通过电子束曝光实验课程,培养研究生与青年科研人员的微纳加工技能,让学员参与从图形设计到曝光制备...
该研究所将晶圆键合技术与微机电系统(MEMS)的制备相结合,探索其在微型传感器与执行器中的应用。在 MEMS 器件的多层结构制备中,键合技术可实现不同功能层的精确组装,提高器件的集成度与性能稳定性。科...
晶圆键合重塑智慧农业感知网络。可降解聚乳酸-纤维素电路通过仿生叶脉结构键合,环境湿度感知精度±0.3%RH。太阳能虫害预警系统识别棉铃虫振翅频率,预测准确率97%。万亩稻田实测减少农药使用45%,增产...
围绕电子束曝光在半导体激光器腔面结构制备中的应用,研究所进行了专项攻关。激光器腔面的平整度与垂直度直接影响其出光效率与寿命,科研团队通过控制电子束曝光的剂量分布,在腔面区域制备高精度掩模,再结合干法刻...
电子束曝光中的新型抗蚀剂如金属氧化物(氧化铪)正面临性能挑战。其高刻蚀选择比(硅:100:1)但灵敏度为10mC/cm²。研究通过铈掺杂和预曝光烘烤(180°C/2min)提升氧化铪胶灵敏度至1mC/...
围绕晶圆键合技术的标准化建设,该研究所联合行业内行家开展相关研究。作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会倚靠单位,其团队参与了多项行业标准的研讨,针对晶圆键合的术语定义、测试方法等提出建议。在自身...
晶圆键合重构海水淡化技术范式。氧化石墨烯-聚酰胺纳米通道键合使脱盐率突破99.99%,反冲洗周期延长至90天。红海浮动平台实测:单日淡水产量1.5万吨,能耗降至2.3kWh/m³。自修复结构修复率达9...
在晶圆键合技术的实际应用中,该研究所聚焦材料适配性问题展开系统研究。针对第三代半导体与传统硅材料的键合需求,科研人员通过对比不同表面活化方法,分析键合界面的元素扩散情况。依托微纳加工平台的精密设备,团...
电子束曝光在热电制冷器键合领域实现跨尺度热管理优化,通过高精度图形化解决传统焊接工艺的热膨胀失配问题。在Bi₂Te₃/Cu界面设计中构造微纳交错齿结构,增大接触面积同时建立梯度导热通道。特殊设计的楔形...
研究所针对电子束曝光在高频半导体器件互联线制备中的应用开展研究。高频器件对互联线的尺寸精度与表面粗糙度要求严苛,科研团队通过优化电子束曝光的扫描方式,减少线条边缘的锯齿效应,提升互联线的平整度。利用微...
电子束曝光解决固态电池固固界面瓶颈,通过三维离子通道网络增大电极接触面积。梯度孔道结构引导锂离子均匀沉积,消除枝晶生长隐患。自愈合电解质层修复循环裂缝,实现1000次充放电容量保持率>95%。在电动飞...
电子束曝光是光罩制造的基石,采用矢量扫描模式在铬/石英基板上直接绘制微电路图形。借助多级剂量调制技术补偿邻近效应,支持光学邻近校正(OPC)掩模的复杂辅助图形创建。单张掩模加工耗时20-40小时,配合...
利用高分辨率透射电镜观察,发现量子点的位置偏差可控制在较小范围内,满足量子器件的设计要求。这项研究展示了电子束曝光技术在量子信息领域的应用潜力,为构建高精度量子功能结构提供了技术基础。围绕电子束曝光的...
电子束曝光实现智慧农业传感器可持续制造。基于聚乳酸的可降解电路板通过仿生叶脉布线优化结构强度,6个月自然降解率达98%。多孔微腔湿度传感单元实现±0.5%RH精度,土壤氮磷钾浓度检测限达0.1ppm。...
研究所将电子束曝光技术应用于 IGZO 薄膜晶体管的沟道图形制备中,探索其在新型显示器件领域的应用潜力。IGZO 材料对曝光过程中的电子束损伤较为敏感,科研团队通过控制曝光剂量与扫描方式,减少电子束与...
研究所针对晶圆键合技术的规模化应用开展研究,结合其 2-6 英寸第三代半导体中试能力,分析键合工艺在批量生产中的可行性。团队从设备兼容性、工艺重复性等角度出发,对键合流程进行优化,使其更适应中试生产线...