广东省科学院半导体研究所
LPCVD的优点主要有以下几个方面:一是具有较佳的阶梯覆盖能力,可以在复杂的表面形貌上形成均匀且连续的薄膜;二是具有很好的组成成分...
LPCVD是低压化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition)的简称,是一种在低压条件下利用...
热氧化是在一定的温度和气体条件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧气,硅片与...
速度和加速度是决定匀胶获得薄膜厚度的关键因素。衬底的旋转速度控制着施加到树脂上的离心力和树脂上方空气的湍流度。衬底由低速向旋转速度...
电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法,它解决了电阻加热方式中钨舟材料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。同时在同...