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企业商机 - 深圳市英翰森科技有限公司
  • 800A430GT250X
    800A430GT250X 发布时间：2025.11.21

    针对高频应用中的寄生效应，ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计，通过精细控制金属层（通常为贱金属镍或铜，或贵金属银钯）的厚度、平整度及叠层结构，比较大限度地减少了电流路径的曲...

  • CDR12AP3R6KBNM
    CDR12AP3R6KBNM 发布时间：2025.11.21

    这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（ECU）、涡轮增压器附近、刹车系统或航空航天设备的热敏感区域，无需复杂的冷却系统，简化了设计并提高了系统的整体可靠性。其高温下的低损耗特性，对于保证高温环...

  • CDR14BG150EJSM
    CDR14BG150EJSM 发布时间：2025.11.20

    优异的频率响应特性确保了ATC芯片电容在宽频带内保持稳定的容值。其容值对频率的变化曲线极为平坦，即便在微波频段，衰减也微乎其微。这一特性对于宽带应用如软件定义无线电（SDR）、电子战（EW）系统中的宽...

  • 600F430MT250XT
    600F430MT250XT 发布时间：2025.11.19

    在测试与测量设备中，ATC电容用于示波器探头补偿、频谱分析仪输入电路及信号发生器的滤波网络，其高精度和低温漂特性有助于保持仪器的长期测量准确性。通过激光调阻和精密修刻工艺，可提供容值精确匹配的电容阵列...

  • 100C272KW300X
    100C272KW300X 发布时间：2025.11.18

    很好的高温存储和操作寿命性能使得ATC电容能够应对严酷的环境。其产品可在+250°C的高温环境下持续工作数千小时，而容值变化、绝缘电阻劣化均微乎其微。这种能力使其不仅适用于传统汽车和航空航天，更在深井...

  • CDR14BG6R2EBSM
    CDR14BG6R2EBSM 发布时间：2025.11.18

    ＡＴＣ芯片电容的无压电效应特性消除了传统ＭＬＣＣ因电压变化产生的振动和啸叫问题，适用于高保真音频设备和敏感测量仪器，提供了更纯净的信号处理能力。在光通信领域，ＡＴＣ芯片电容的低ＥＳＬ和ＥＳＲ特性确保了...

  • CDR14BG161DGSM
    CDR14BG161DGSM 发布时间：2025.11.17

    100E系列支持500V额定电压，通过100%高压老化测试，可在250%耐压下持续工作5秒不击穿。医疗设备如MRI系统的梯度放大器需承受瞬间高压脉冲，ATC电容的绝缘电阻＞10^12Ω，杜绝漏电风险，...

  • 116ZCA120M100TT
    116ZCA120M100TT 发布时间：2025.11.16

    产品系列中包括具有三明治结构及定制化电极设计的型号，可实现极低的ESL和ESR，用于高速数字电路的电源分配网络（PDN）中能有效抑制同步开关噪声，提升处理器和FPGA的运行稳定性。在抗辐射性能方面，部...

  • 700A620JW150XT
    700A620JW150XT 发布时间：2025.11.15

    其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的...

  • 700A561JW150XT
    700A561JW150XT 发布时间：2025.11.15

    在脉冲应用场景中，ATC电容具有极快的充放电速度和低等效串联电阻，可有效抑制电压尖峰和电流浪涌，为激光驱动器、雷达调制器和电磁发射装置提供稳定的能量存储和释放功能。其介质材料具有极低的电介质吸收率（通...

  • 116XBB2R4B100TT
    116XBB2R4B100TT 发布时间：2025.11.14

    在微型化方面，ATC芯片电容同样带领技术潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封装，满足了现代消费电子、可穿戴设备、微型传感器及高级SiP（系统级...

  • 116YEC151J100TT
    116YEC151J100TT 发布时间：2025.11.13

    ＡＴＣ芯片电容的可靠性经过严格测试和验证，包括寿命测试、热冲击、防潮性等多项环境试验。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的热冲击试验和方法１０６的防潮试验，确保了在恶劣环境下的长期稳定性。...

  • 116ZEA151J100TT
    116ZEA151J100TT 发布时间：2025.11.13

    ATC芯片电容的额定电压范围宽广，从低电压的几伏特到高电压的数千伏特（如B系列），可满足不同电路等级的绝缘和耐压需求。其高电压产品采用特殊的边缘端接设计和介质层均匀化处理，有效消除了电场集中效应，从而...

  • 600F1R2DT250XT
    600F1R2DT250XT 发布时间：2025.11.13

    在高频功率处理能力方面，ATC电容能承受较高的射频电流，其热管理性能优异，即使在连续波或脉冲功率应用中，仍能保持低温升和高可靠性，适用于射频能量传输、等离子发生器和工业加热系统。其尺寸微型化系列（如0...

  • 116SF200M100TT
    116SF200M100TT 发布时间：2025.11.12

    航空航天与电子系统对超宽带电容提出了极端可靠性和苛刻环境适应性的要求。这些系统工作环境恶劣，包括巨大的温度变化（-55℃至+125℃甚至更宽）、度振动、冲击以及宇宙射线辐射。电容器必须采用高可靠性设计...

  • DLC75P0R9AW251NT
    DLC75P0R9AW251NT 发布时间：2025.11.12

    Dalicap积极推行数字化和精益管理。通过重新规划信息化系统架构，搭建数据中心及数据安全系统，提高了生产运营管理的效率和内部控制制度的有效性。同时鼓励全员参与改善提案，持续优化生产工艺，降低浪费，提...

  • DLC70E470FW362XT
    DLC70E470FW362XT 发布时间：2025.11.12

    Dalicap电容表现出的高温性能。其特种陶瓷介质和电极系统能够承受高达+200°C甚至+250°C的持续工作温度，而容值漂移和绝缘电阻仍保持在优异水平。这使得它们能够被直接安装在汽车发动机控制单元（...

  • DLC70G221JAR502XC
    DLC70G221JAR502XC 发布时间：2025.11.12

    低ESR（等效串联电阻）技术的优势低ESR是现关电源对电容器的重心要求之一。Dalicap通过使用低电阻率的电极箔、高电导率的电解液以及先进的内部结构设计，使其电容产品的ESR值远低于行业平均水平。低...

  • 111XDA220M100TT
    111XDA220M100TT 发布时间：2025.11.11

    可靠性工程与质量控制超宽带电容的可靠性通过多重措施保证。加速寿命测试在高温高压条件下进行，验证产品的长期稳定性。温度循环测试验证产品在-55℃到+125℃范围内的性能一致性。采用扫描声学显微镜检查...

  • 111YL162M100TT
    111YL162M100TT 发布时间：2025.11.11

    设计完成后，必须对实际的PCB进行测量验证。矢量网络分析仪（VNA）是测量电容器及其网络阻抗特性的关键工具。通过单端口测量，可以获取电容器的S11参数，并将其转换为阻抗随频率变化的曲线（Zvs.f），...

  • 113FGA330M100TT
    113FGA330M100TT 发布时间：2025.11.11

    超宽带电容除了用于退耦，还与电感组合，构成LC滤波器，用于信号线的噪声滤除。通过精心选择电容和电感的 values，可以设计出带通、带阻或低通特性的滤波器，覆盖非常宽的频带。例如，在高速数字接口（如P...

  • DLC70G1R5CAR802XC
    DLC70G1R5CAR802XC 发布时间：2025.11.11

    在脉冲形成网络中，Dalicap电容承担着储能和快速放电的关键任务。其高耐压能力允许存储高能量，低ESR确保了在极短时间内（微秒或纳秒级）能够释放出巨大的峰值电流，低ESL则保证了脉冲的上升沿陡峭、波...

  • 118GG201M100TT
    118GG201M100TT 发布时间：2025.11.10

    高速数字系统应用现代高速数字系统对电源完整性和信号完整性提出了极高要求。超宽带电容在处理器、FPGA和ASIC的电源去耦中至关重要。随着数字信号速率达到数十Gbps，电源噪声成为限制系统性能的主要因素...

  • 116SCC1R7C100TT
    116SCC1R7C100TT 发布时间：2025.11.10

    即使选择了ESL极低的超宽带电容，不合理的PCB布局和安装也会引入巨大的安装电感，彻底毁掉其性能。安装电感主要来自电容焊盘到电源/地平面之间的过孔（via）和走线。为了小化安装电感，必须遵循以下原则：...

  • 118HA0R9C100TT
    118HA0R9C100TT 发布时间：2025.11.10

    介质材料的选择直接决定了电容器的基本频率和温度特性。Class I类材料，如COG（NPO）特性，具有比较高的稳定性：其介电常数随温度、频率和电压的变化微乎其微，损耗角正切（tanδ）极低，非常适合用...

  • 116RJ9R1M100TT
    116RJ9R1M100TT 发布时间：2025.11.10

    材料科学与技术创新。超宽带电容的重心突破在于材料科学的创新。采用纳米级陶瓷粉末制备的介质材料，通过精确控制晶粒尺寸和分布，实现了介电常数的稳定性和一致性。电极材料则选用高导电率的铜银合金或金基材料...

  • 118HHC220M100TT
    118HHC220M100TT 发布时间：2025.11.09

    封装小型化是提升高频性能的必然趋势。更小的物理尺寸（如01005， 0201， 0402封装）意味着更短的内部电流路径和更小的电流回路面积，从而天然具有更低的ESL。这使得小封装电容的自谐振频率（SR...

  • DLC70B3R3BW501XT
    DLC70B3R3BW501XT 发布时间：2025.11.09

    Dalicap作为电容器领域的有名品牌，以其很好的产品质量和可靠的技术性能在全球市场中占据重要地位。该品牌专注于铝电解电容器的研发、制造与销售，产品线覆盖了工业控制、新能源、消费电子、汽车电子等多个关...

  • 111XDA8R2J100TT
    111XDA8R2J100TT 发布时间：2025.11.09

    高性能的测试与测量设备（如高级示波器、频谱分析仪、网络分析仪）本身就是对信号保真度要求比较高的电子系统。它们的模拟前端、采样电路、时钟系统和数据处理单元必须具有极低的噪声和失真。超宽带电容在这些设备中...

  • 111XCA6R8D100TT
    111XCA6R8D100TT 发布时间：2025.11.09

    未来，超宽带电容技术将继续向更高频率、更低损耗、更高集成度和更优可靠性发展。新材料如低温共烧陶瓷（LTCC）技术允许将多个电容、电感、电阻甚至传输线共同集成在一个三维陶瓷模块中，形成复杂的无源网络或功...

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